mos管的傳輸特性,傳輸特性曲線介紹-KIA MOS管

mos管的傳輸特性

MOS管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）主要有兩種類型：增強(qiáng)型和耗盡型。增強(qiáng)型MOS管在Ugs電壓為零時(shí)，ids=0，即管子完全截止，沒有漏電流；而耗盡型MOS管在Ugs電壓為零時(shí)，ids≠0，即管子不完全截止，有漏電流。

增強(qiáng)型和耗盡型MOS管的特性差異

增強(qiáng)型MOS管在Ugs電壓為零時(shí)，ids=0，即管子完全截止，沒有漏電流。這種類型的MOS管在關(guān)閉狀態(tài)下能夠完全阻斷電流，適用于需要完全關(guān)閉的電路中。相比之下，耗盡型MOS管在Ugs電壓為零時(shí)，ids≠0，即管子不完全截止，有漏電流。這種類型的MOS管在關(guān)閉狀態(tài)下仍有微小的電流流動(dòng)，適用于需要持續(xù)微小電流的電路中。

MOS管的開啟電壓、直流輸入電阻和漏源擊穿電壓等特性

開啟電壓（VT）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓。標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管的開啟電壓約為3～6V，通過工藝改進(jìn)可以使VT值降到2～3V。

直流輸入電阻（RGS）：在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比。MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

漏源擊穿電壓（BVDS）：在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS。這個(gè)參數(shù)決定了MOS管能夠承受的最大漏源電壓，超過此電壓可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞。

增強(qiáng)型NMOS管輸入輸出特性曲線

輸出特性曲線

開啟電壓 -＞ Ugs(th)

預(yù)夾斷軌跡 -＞ Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -＞ Uds = Ugs - Ugs(th)

1、夾斷區(qū)： Ugs ＜ Ugs(th)，此時(shí)ld = 0

2、可變電阻區(qū)： Ugs＞=Ugs(th)，Uds ＜(Ugs - Ugs(th))，此時(shí)ld隨Uds的增大而增大

3、恒流區(qū)： Ugs＞=Ugs(th)，Uds ＞= (Ugs - Ugs(th))，此時(shí)ld大小僅僅取決于Ugs

輸入特性曲線

Ugs ＜ Ugs(th)時(shí)，ld = 0

Ugs ＞ Ugs(th)時(shí)，Uds為一常量時(shí)，Ugs越大，ld越大

增強(qiáng)型NMOS管應(yīng)用說明

實(shí)際應(yīng)用時(shí)，NMOS管常作低端驅(qū)動(dòng)（下管）與開關(guān)使用，此時(shí)，MOS管工作在夾斷區(qū)與可變電阻區(qū)。

夾斷區(qū)， ld=0，此時(shí)，功率P=ld * Uds=0

可變電阻區(qū)，Uds相對(duì)很小，功率P=ld*Uds相對(duì)也很小

增強(qiáng)型PMOS管輸入輸出特性曲線

輸出特性曲線

開啟電壓： Ugs(th)，為負(fù)壓

預(yù)夾斷軌跡： Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -＞ Uds = Ugs - Ugs(th)

1、夾斷區(qū)： lUgs| ＜ lUgs(th)|，此時(shí) ld = 0

2、可變電阻區(qū)：|Ugs ＞= |Ugs(th)|，|Udsl ＜ (Ugs - Ugs(th)，此時(shí)ld隨Uds的增大而增大

3、恒流區(qū)： |Ugs| ＞= lUgs(th)，|Udsl ＞ = (Ugs - Ugs(th))，此時(shí)ld大小僅僅取決于Ugs

輸入特性曲線

lUgsl ＜ |Ugs(th)|時(shí)，ld = 0

lUgsl ＞ |Ugs(th)|時(shí)，Uds為一常量時(shí)，|Ugs|越大，ld越大

增強(qiáng)型PMOS管應(yīng)用說明

實(shí)際應(yīng)用時(shí)，PMOS管常作高端驅(qū)動(dòng)與開關(guān)使用，此時(shí)，PMOS管工作在夾斷區(qū)與可變電阻區(qū)。

夾斷區(qū)，ld=0，此時(shí)，功率P=ld * Uds = 0

可變電阻區(qū)，Uds相對(duì)很小，功率P=ld*Uds相對(duì)也很小。

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