三極管驅(qū)動(dòng)mos管,三極管和MOS管驅(qū)動(dòng)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-15
可以用三極管直接驅(qū)動(dòng)MOS嗎？回答是：可以直接驅(qū)動(dòng)。由于MOS場效應(yīng)管是一種電壓驅(qū)動(dòng)器件，要想使其充分導(dǎo)通，要求其柵極驅(qū)動(dòng)電壓的幅度要足夠大，而一些低壓IC電路（譬如3.3V供電的單片機(jī)電路）輸出幅度較小，直接用來驅(qū)動(dòng)MOS場效應(yīng)管，根本無法使管子完全導(dǎo)通。為解決此問題，常加一級雙極型三極管驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)MOS場效應(yīng)管，電路如圖所示。
VT1為NPN型三極管，其基極輸入信號的幅度只有5V，而MOS場效應(yīng)管VT2的開啟電壓較高，要想使其充分導(dǎo)通，其柵極驅(qū)動(dòng)電壓一般要求≥10V。為了能驅(qū)動(dòng)MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，電路中加了一級三極管電路，當(dāng)VT1基極為5V高電平時(shí)，VT1導(dǎo)通，VT2截止;當(dāng)VT1基極為低電平0V時(shí)，VT1截止，其集電極的10V電壓(Rc上的壓降幾乎為零，可以忽略不計(jì))直接加至VT2的G極(即柵極)，這樣便可以使VT2獲得足夠的柵極電壓而導(dǎo)通。
在用三極管驅(qū)動(dòng)MOS場效應(yīng)管時(shí)，需要注意MOS場效應(yīng)管柵極所接電阻（即上圖中的Rc）的取值。
受限于MOS管的驅(qū)動(dòng)閾值，在許多的應(yīng)用場景中無法直接使用MCU或者SOC的GPIO電平驅(qū)動(dòng)MOS的導(dǎo)通與關(guān)斷，此時(shí)需要在MOS的G極處增加一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)GPIO電平可以驅(qū)動(dòng)MOS。
如圖演示了PMOS的自驅(qū)效應(yīng)，當(dāng)PMOS的G極連接S極時(shí)，VGS=0V，PMOS便會(huì)自開啟，那么如果在PMOS的G極與GND之間增加一道SW開關(guān)，那么就可以實(shí)現(xiàn)G極電位在GND和Vin之間切換，那么就可以通過SW來控制PMOS的開啟與關(guān)閉。
將圖1中的SW開關(guān)更換為三極管BJT，如圖2 ，那么就是一個(gè)典型的BJT驅(qū)動(dòng)高邊PMOS的電路，其中C1，C2，Zener非必要。C1用做加速BJT打開，C2用做BJT快速關(guān)斷，Zener用做VGS鉗位，避免瞬時(shí)電壓超過MOS的VGSmax耐壓從而損壞MOS。
R1和R2在一條路徑上可以調(diào)節(jié)分壓，也即調(diào)整G極電位，Q2關(guān)斷時(shí)，VG=VS，VGS=VG-VS=0V，Q1導(dǎo)通時(shí)，VG=Vin×{R2/(R1+R2)}，VS=Vin，那么VGS=Vin×{R2/(R1+R2)}-Vin。當(dāng)R1很大，R2很小，VGS≈Vin，此時(shí)如果VGS接近或超過Q1的GS耐壓值VGSS，會(huì)損壞PMOS，那么這時(shí)就可以調(diào)整R1，R2的比例，將導(dǎo)通時(shí)VGS值調(diào)整至-VGSS＜VGS＜VGSTHmin。
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