?3n80場效應管,KIA3N80H參數引腳圖,原廠現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-09-09
KIA3N80H場效應管漏極電流3A，漏源擊穿電壓高達800V，在開啟狀態下靜態電阻RDS為4.8Ω，具有穩定的電氣特性；低柵極電荷為13nC，確保快速的響應速度；具有高堅固性，在各種情況下可靠工作；改進的dv/dt能力，有效降低開關時的干擾。KIA3N80H可以替代3n80型號應用在開關電源、LED驅動、開關轉換器、電機驅動器中；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：800V
漏極電流：3.0A
漏源通態電阻(RDS(on))：4.8Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：12A
雪崩能量單脈沖：320MJ
最大功耗：39W
輸入電容：543PF
輸出電容：54PF
總柵極電荷：13nC
開通延遲時間：15nS
關斷延遲時間：22.5nS
上升時間：43.5ns
下降時間：32ns
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