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三極管反向擊穿電壓,BVcbo,BVceo,BVebo-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-08-29 

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三極管反向擊穿電壓,BVcbo,BVceo,BVebo-KIA MOS管


三極管反向擊穿電壓

三極管由三個區域組成:n型區(發射極)、p型區(基極)和n型區(集電極)。其中,發射極和集電極之間的電流放大作用是三極管的主要特性。當電壓達到一定值時,三極管會出現反向擊穿現象,導致電流急劇增大,可能損壞電路。

三極管反向擊穿電壓

反向擊穿電壓是指在反向電壓作用下,半導體材料中的電子空穴對被拉出,形成電流,從而導致器件損壞的電壓。對于三極管而言,由于其內部存在兩個p-n結(發射結和集電結),因此它有三個反向擊穿電壓:BVCEO(集電極-發射極反向擊穿電壓)、BVCBO(集電極-基極反向擊穿電壓)和BVEBO(發射極-基極反向擊穿電壓)。


在三極管的三個反向擊穿電壓中,BVCEO是最大的,因為它決定了三極管的耐壓值。一般來說,BVCEO在20V以上,甚至可以達到10O0V或更高。BVCBO次之,通常在50V至100V之間。而BVEBO最小,一般不超過20V。這是因為在三極管工作時,發射結通常處于正偏狀態,而基極的電流較小,所以發射極-基極之間的反向擊穿電壓要求相對較低。


三個反向擊穿電壓的關系

BVcbo>BVceo>BVebo

首先三極管工作時其發射結一般處于正偏狀態,故BVebo反向擊穿電壓要求不高,通常BVebo<20V,是最低的。

其次,反向擊穿主要是漏電流引起的。集電極-基極漏電流Icbo經過β倍放大后成為集電極-發射極漏電流Iceo,故Iceo=βIcbo,而BVceo就小于BVcbo。


測試三極管反向擊穿電壓的方法

使用萬用表進行測量,具體操作時將萬用表調至合適的檔位(如10K或100K),然后將紅表筆接在發射極,黑表筆接在集電極或基極。


如果測量的是BVCEO,那么需要將萬用表的正極接觸到集電極,負極接觸到發射極;如果測量的是BVCB0,那么需要將萬用表的正極接觸到集電極,負極接觸到基極;如果測量的是BVEBO,那么需要將萬用表的正極接觸到發射極,負極接觸到基極。


在測試過程中,如果三極管出現擊穿現象,萬用表上的指針會突然擺動到最大值,這樣就可以判斷出三極管的反向擊穿電壓。


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