4n65場效應管參數,4n65f參數及代換,KIA4N65H資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-28
KIA4N65H場效應管漏極電流4A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（開）=2.5Ω @ VGS=10V，最大限度減少導通電阻；低柵極電荷，典型值為16nC，高堅固性、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力、在雪崩和換向模式下承受高能脈沖，能夠確保穩定性和可靠性，帶來高效率和快速響應，減少電路中的噪音和干擾。KIA4N65H可以替代4n65型號應用在高效開關電源、開關電源、LED驅動中；封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F。
漏源電壓：650V
漏極電流：4A
漏源通態電阻：2.5Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：12A
雪崩能量單脈沖：180MJ
功率耗散：58W
總柵極電荷：16nC
輸入電容：560PF
輸出電容：55PF
開通延遲時間：10nS
關斷延遲時間：40nS
上升時間：40ns
下降時間：50ns
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