耗盡區(qū)寬度計算公式,耗盡區(qū)寬度與摻雜濃度關(guān)系-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-12
內(nèi)建電場公式：
對耗盡區(qū)電場進行積分，可得到內(nèi)建電勢Vbi
對于單邊突變結(jié)，PN結(jié)一側(cè)的摻雜濃度遠高于另一側(cè)時，如P+N結(jié)
耗盡層主要分布在低摻雜一側(cè)，同時內(nèi)建電場峰值取決于低摻雜一側(cè)的雜質(zhì)濃度。
?耗盡區(qū)寬度與摻雜濃度的關(guān)系是：高摻雜濃度導致耗盡區(qū)寬度變窄，而低摻雜濃度則導致耗盡區(qū)寬度變寬。
原理主要涉及到半導體物理中的擴散和漂移現(xiàn)象，以及它們?nèi)绾斡绊懞谋M區(qū)的形成。
擴散與漂移現(xiàn)象：
在半導體中，摻雜是指通過引入雜質(zhì)原子來改變材料的導電性質(zhì)。這些雜質(zhì)原子可以提供額外的電荷載體（電子或空穴），從而影響材料的導電性。
擴散是指電荷載體（電子或空穴）從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域的運動。在?PN結(jié)中，這種擴散作用會導致耗盡區(qū)的形成。
漂移則是指電荷載體在電場作用下的定向運動。在耗盡區(qū)內(nèi)，由于存在內(nèi)建電場，少數(shù)載流子（電子或空穴）會受到電場的作用而發(fā)生漂移運動。
耗盡區(qū)寬度的變化：
當摻雜濃度較高時，單位長度區(qū)域內(nèi)的載流子數(shù)量更多，離子數(shù)量也更多。這使得在較少的單位長度內(nèi)就能建立起“一定強度的內(nèi)電場”，使得PN結(jié)進入動態(tài)平衡階段（寬度不再發(fā)生變化），因此耗盡區(qū)寬度變窄。
相反，當摻雜濃度較低時，單位長度區(qū)域內(nèi)的載流子數(shù)量更少，離子數(shù)量也更少。這需要更多的單位長度才能建立起相同的內(nèi)電場，使得PN結(jié)進入動態(tài)平衡階段，因此耗盡區(qū)寬度變寬。
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