mos管失效原因,六大失效原因及解決措施-KIA MOS管

mos管失效原因

MOS管失效的原因包括且不限于以下：

1、雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。

2、SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。

3、體二極管失效、在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。

4、諧振失效、在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。

5、靜電失效、在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。

6、柵極電壓失效、由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。

mos管失效解決措施

1、雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。

預(yù)防方法

--MOS管選型時(shí)，耐壓要留足的余量

--加吸收電路，吸收過高的VDS尖峰

--PCB布線時(shí)，盡量縮短，減小寄生電感

--選擇合理的驅(qū)動(dòng)電阻，兼顧開關(guān)速度

2、SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。

預(yù)防辦法

--選型時(shí)，提高電流余量盡量選用封裝體積大的MOS管MOS管盡量加散熱器，改善散熱條件，降低器件的工作溫度。

--產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)，需要注意過流和過載環(huán)路的反應(yīng)時(shí)間，避免反應(yīng)超時(shí)導(dǎo)致SOA失效。

3、體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。

預(yù)防辦法

--選用恢復(fù)時(shí)間較小的MOS管

--優(yōu)化設(shè)計(jì)電路

4、諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。

預(yù)防辦法

--PCB布線時(shí)，走線需要盡量短，尤其是MOS管驅(qū)動(dòng)信號(hào)線。

--驅(qū)動(dòng)回路中串聯(lián)電阻，以增大阻尼。

5、靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。

預(yù)防辦法

--制程中 注意靜電防控，作業(yè)人員要帶靜電環(huán)，相關(guān)設(shè)備需要接地。

--MOS管運(yùn)輸儲(chǔ)藏過程，需要用防靜電袋。

6、柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。

預(yù)防辦法

--建議在設(shè)計(jì)時(shí)加穩(wěn)壓管

--在有柵極驅(qū)動(dòng)變壓器驅(qū)動(dòng)的電路中需要注意驅(qū)動(dòng)電壓的變化，以防超出MOS管柵極的安全工作電壓范圍。

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