mos管失效原因,六大失效原因及解決措施-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-11
MOS管失效的原因包括且不限于以下：
1、雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。
2、SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
3、體二極管失效、在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。
4、諧振失效、在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。
5、靜電失效、在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。
6、柵極電壓失效、由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
1、雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。
預防方法
--MOS管選型時，耐壓要留足的余量
--加吸收電路，吸收過高的VDS尖峰
--PCB布線時，盡量縮短，減小寄生電感
--選擇合理的驅(qū)動電阻，兼顧開關(guān)速度
2、SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
預防辦法
--選型時，提高電流余量盡量選用封裝體積大的MOS管MOS管盡量加散熱器，改善散熱條件，降低器件的工作溫度。
--產(chǎn)品設計時，需要注意過流和過載環(huán)路的反應時間，避免反應超時導致SOA失效。
3、體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。
預防辦法
--選用恢復時間較小的MOS管
--優(yōu)化設計電路
4、諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。
預防辦法
--PCB布線時，走線需要盡量短，尤其是MOS管驅(qū)動信號線。
--驅(qū)動回路中串聯(lián)電阻，以增大阻尼。
5、靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。
預防辦法
--制程中 注意靜電防控，作業(yè)人員要帶靜電環(huán)，相關(guān)設備需要接地。
--MOS管運輸儲藏過程，需要用防靜電袋。
6、柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
預防辦法
--建議在設計時加穩(wěn)壓管
--在有柵極驅(qū)動變壓器驅(qū)動的電路中需要注意驅(qū)動電壓的變化，以防超出MOS管柵極的安全工作電壓范圍。
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