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095r0nt參數,095r0nt場效應管代換,優質平替-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-11-06 

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095r0nt參數資料

SVG095R0NT N溝道增強型功率MOS場效應晶體管120A,90V,RDS(on)(典型值)=4.4mΩ@VGS=10V;

耗散功率(PD):

【管殼溫度(Tc)=25 ℃】200 W

漏極電流(ID):

【管殼溫度(Tc)=25 ℃】120 A

漏極和源極電壓(VDSS):90 V

漏極和源極通態電阻(RDS(on)):0.005 Ω


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095r0nt場效應管代換KNX2908B


KNX2908B場效應管采用先進的N溝道溝槽技術,漏源擊穿電壓80V, 漏極電流最大值為130A ,RDS(on) =5.0mΩ(typ)@VGS=10V,封裝形式是TO-220、TO-263、TO-3P;具有高雪崩耐量、可靠性高、低Qgd、低RDSon的特點,可最大限度地減少導通損耗,提供卓越的開關性能。


KNX2908B這款130A、80V大流量、低電壓的MOS管能夠代換SVG095R0NT型號來使用。SVG095R0NT代換MOS管KNX2908B廣泛應用于DC/DC電源、DC-AC逆變器、開關電源、UPS、BLDC電機驅動及鋰電池保護板上。

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KNX2908B特性:

VDS=80V,ID=130A,RDS(ON)(典型值)=5.0mΩ@VGS=10V

低Rdson的高密度電池設計

完全表征雪崩電壓和電流

穩定性和均勻性好,EAS高

出色的封裝,散熱良好


095r0nt場效應管代換2908B參數規格書

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KIA半導體產生的MOS管場效應管已經廣泛應用于智能家居、新能源電子領域:如智能音響、家用電器、LED照明、逆變電源、電瓶車、電腦電源、充電器、汽車電子等行業,竭誠為客戶提供優質的產品以及配套服務??筛鶕蛻粜枨筮M行量身定制MOS管產品以及免費試樣、技術支持。


聯系方式:鄒先生

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