1000V 6A場效應管KNX45100A 參數引腳規格書-KIA MOS管

KNX45100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為6A；RDS (on) = 2.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容，開關速度快等優點，適用于備用電源，充電樁等應用。封裝形式：TO-220、TO-220F、TO-252；腳位排列位GDS。

1000V場效應管KNX45100A-特點

符合RoHS

RDS（ON），典型=2.0Ω@VGS=10V

低柵極電荷最小化開關損耗

快速恢復體二極管

1000V場效應管KNX45100A-應用

適配器

充電器

SMPS備用電源

1000V場效應管KNX45100A-封裝圖

1000V 場效應管 KNX45100A

1000V場效應管KNX45100A-參數

1000V 場效應管 KNX45100A

KIA半導體專業生產MOS管場效應管廠家（國家高新技術企業）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場，研發為先導，了解客戶需求，運用創新的集成電路設計方案和國際同步研發技術，結合中國市場的特點，向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關產品，產品的穩定性，高性價比，良好的服務，以及和客戶充分的技術，市場溝通的嚴謹態度，在移動數碼，LCE,HID,LED,電動車，開關電源，逆變器，節能燈等領域深得客戶認可。

1000V 場效應管 KNX45100A