7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)，7n80場(chǎng)效應(yīng)管代換-KIA MOS管

7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)資料

7n80功率MOSFET是使用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)定制，可最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適合高效開(kāi)關(guān)模式電源、基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。

7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-特性

RDS(on)=1.4Ω@ VGS=10V

柵極電荷低(典型為27nC)

高堅(jiān)固性

快速切換

100%雪崩測(cè)試

改進(jìn)的DV/DT功能

7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)：KIA7N80

工作方式：7A/800V

漏源電壓：800V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：7.0A

脈沖漏極電流：28A

雪崩能量：650mJ

耗散功率：167W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：800V

溫度系數(shù)：1V/℃

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：1300 PF

輸出電容：120 PF

上升時(shí)間：100 ns

封裝形式：TO-220、TO-220F

7n80場(chǎng)效應(yīng)管-封裝圖

高壓800V7A MOS管KIA7N80H資料

7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書(shū)

高壓800V7A MOS管KIA7N80H資料

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KIA7N80H

KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)