20n50場效應管參數,20n50參數代換,引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-09
KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數校正。
KIA20N50具有500V高耐壓，20A漏極直流電流，低反向傳輸電容開關速度快，內阻低，耐沖擊特性好等特點；在使用性能參數方面能夠匹配型號為IRFP460的國外場效應管，也能夠代換2SK2837型號的場效應管。
廣泛應用于DC-AC電源轉換器，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PMW馬達驅動，逆變器（1000W）/開關電源/電焊機產品中。
產品型號：KIA20N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續）（lD）：20A
耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃
工作溫度：+150/℃
擊穿電壓溫度：0.5V/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升時間：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω
封裝形式：TO-220F、TO-247、TO-3P
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的70nC）
快速切換能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
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