10n60場效應管參數管腳 10N60場效應管代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-07-28
KIA10N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋到拓撲的電子燈鎮流器。在社會的飛速發展中，便攜式儲能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產品對MOS管的使用。10n60針對儲能電源應用，具有更耐沖擊、同等參數雪崩更高的特性，提高效率的同時給產品應用也提供更穩定的保障。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低柵電荷（典型的44nc)
3、快速切換能力
4、雪崩能量指定值
5、增強的dv/dt能力
產品型號：KIA10N60H
工作方式：9.5A/600V
漏源極電壓:600V
柵源電壓:±30V
漏電流連續:9.5A/5.7A
峰值二極管恢復:4.5V/ns
結溫:+150℃
貯存溫度:-55℃至150℃
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。
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