VCC端串入PMOS管的防反接保護電路分享-KIA MOS管

上篇文章分析了基于 GND 端串入 NMOS 管的防反接電路，本文則對 VCC 端串入 PMOS 管的防反接電路進行分析。相比于以往的防反接電路，MOS 管類型的防反接保護電路，具有低功耗和壓降小的優點。

原理圖

VCC PMOS 防反接

原理分析

分析方法同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接電路”，只不過需要注意 PMOS 管 VGS<0 時，MOS 管開啟。

器件分析

分析方法同上篇文章“GND 端串入 NMOS 管的防反接電路”，這里 R2 取 1K。

需要注意：

（1）由于 VBAT 端要提供負載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導通內阻比 NMOS 管要更小。一般來說，導通內阻越小，其 Gate 端的結電容就越大，所以 PMOS 管的開關速度就會越慢，因此，要綜合考慮。

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VCC PMOS 防反接