【電路分享】幾種高頻逆變器后級電路圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-06-27
高頻逆變器后級電路圖一：
電路中C1，C2分別是Q1，Q2的GD結電容，左邊上下兩個波形分別是Q1，Q2的柵極驅動波形。我們先從t1-t2死區時刻開始分析，從圖中可以看出這段時間為死區時間，也就是說這段時間內兩管都不導通，半橋中點電壓為母線電壓的一半，也就是說C1，C2充電也是母線電壓的一半。
當驅動信號運行到t2時刻時，Q1的柵極變為高電平，Q1開始導通，半橋中點的電位急劇上升，C2通過母線電壓充電，充電電流通過驅動電阻Rg和驅動電路放電管Q4，這個充電電流會在驅動電阻Rg和驅動電路放電管Q4上產生一個毛刺電壓，請看圖中t2時刻那條紅色的豎線。
如果這個毛刺電壓的幅值超過了Q2的開啟電壓Qth，半橋的上下兩管就共通了。有時候上下兩管輕微共通并不一定會炸管，但會造成功率管發熱，在母線上用示波器觀察也會看到很明顯的干擾毛刺。只有共通比較嚴重的時候才會炸管。還有一個特性就是母線電壓越高毛刺電壓也越高，也越會引起炸管。
高頻逆變器后級電路圖二：
13腳的邏輯地和2腳的驅動地在布線時要分開來走，邏輯地一般要接到5V濾波電容的負端，再到高壓濾波電容的負端，驅動地一般要接到12-15V驅動電源的濾波電容的負端，再到兩個低端高壓MOS管中較遠的那個MOS的源極。如下圖：
在正弦波逆變器中因為載波的頻率較高，母線電壓也較高，自舉二極管要使用高頻高壓的二極管。因為載波占空比接近100%，自舉電容的容量要按照基波計算，一般需要取到47-100uF，最好并一個小的高頻電容。
高頻逆變器后級電路圖三：
圖1電路中IC1的15腳外圍電路的R1、C1組成上電軟啟動電路。上電時電容C1兩端的電壓由0V逐步升高，只有當C1兩端電壓達到5V以上時，才允許IC1內部的脈寬調制電路開始工作。當電源斷電后，C1通過電阻R2放電，保證下次上電時的軟啟動電路正常工作。
IC1的15腳外圍電路的R1、Rt、R2組成過熱保護電路，Rt為正溫度系數熱敏電阻，常溫阻值可在150Ω～300Ω范圍內任選，適當選大些可提高過熱保護電路啟動的靈敏度。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>