【MOSFET應用】RC熱阻模型及熱仿真實例-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-04-14
RC熱阻模型的建立
如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領域的電流就等同于熱領域中的元件功率；電壓值也可以等效為溫度值。
具體的等效對應關系如下表：
根據這樣的等效關系，我們就可以將元件的熱阻抗Zth以電子的R和C來呈現出來，并通過電路仿真的方法求得元件的溫升值。
這種模型的等效也是各大MOSFET供應商認可的較快速的評估方法。
基于LTspice的熱仿真實例
下面的實例是一個MOSFET的高邊開關驅動電路，其中右側的C1，C2，C3，C4，R4，R5，R6和R7組成的是元件的熱阻模型，其中的電容值和電阻值也都是根據供應商給出的模型進行設定的。
將電流源激勵B1的值設為作用在元件上的功率值，Vmb1為元件焊接襯底的初始值，當運行LTspice后，電流源B1后的電壓值即為元件結合點溫度Tj。
綜上所示，MOSFET的RC熱阻模型為我們元件的設計選型提供較為簡單快速的評估方法，將設計的風險降低。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>