驅(qū)動IC控制的MOS管開關(guān)電路實例分析-KI MOS管

在設(shè)計MOS管驅(qū)動電路時，要滿足的首要條件就是Vgs電壓大于Vth開啟電壓，一般來說Source極是接地的，所以我們一般關(guān)注的是Gate電壓，但是在一些特殊的應(yīng)用場合中，比如H橋驅(qū)動電機時，這個時候MOS管的S極可能并不直接接地，那么我們應(yīng)該如何控制MOS管的開關(guān)呢？這時候就需要用到專門的MOS驅(qū)動IC了。

驅(qū)動IC MOS管

實例分析

專門的驅(qū)動IC為了實現(xiàn)快速開關(guān)MOS，一般內(nèi)部會集成自舉電路，從而可以提供高于電源電壓的驅(qū)動電壓來快速開關(guān)MOS,以DGD0506為例，雖然該IC的供電電源電壓是15V，但是它卻能提供高達50V的驅(qū)動電壓輸出。

VB和VS引腳之間的電容就是自舉電容，是完成升壓的核心器件。從下面的電路我們可以看出來，驅(qū)動IC的Vs引腳直接接到了MOS的Source極，這樣就解決了沒有GND作為Source極電壓參考的問題。

驅(qū)動IC MOS管

另外，如果我們用分立器件搭建半橋驅(qū)動電路來驅(qū)動電機時，一旦軟件出現(xiàn)BUG，兩個MOS同時導(dǎo)通，相當(dāng)于VCC和GND直連了，那么兩個MOS上會出現(xiàn)很大的短路電流，可能會燒毀MOS，集成MOS內(nèi)部有死區(qū)時間控制，能夠從硬件上避免兩個MOS同時導(dǎo)通的情況出現(xiàn)；

簡單來說就是我們在開啟一個MOS時，會硬件延時，而這段硬件延時時間能充分保證另一個MOS已經(jīng)關(guān)閉了，我們可以通過調(diào)整DT引腳上連接的電阻來調(diào)整死區(qū)保護時間。

驅(qū)動IC MOS管

總結(jié)來說，使用IC驅(qū)動MOS減少了外圍分立器件，并且能大大擴展驅(qū)動電壓以及應(yīng)用場景，當(dāng)然，這也會導(dǎo)致成本的上升，所以還是要基于需求來搭建驅(qū)動電路，如果你得MOS管開關(guān)電路沒有開關(guān)時間的要求，并且也不是驅(qū)動H橋這種電路，只是用于簡單的負(fù)載開關(guān)，這個時候考慮一下電流，MOS管的溫升，如果都比較合理的話，那用MCU直驅(qū)也是可以的。

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