反向電流阻斷分析及優(yōu)化方法-KIA MOS管

反向電流阻斷定義

反向電流是指系統(tǒng)輸出端的電壓高于輸入端的電壓，導(dǎo)致電流反向流過系統(tǒng)。

反向電流阻斷來源：

MOSFET用于負(fù)載切換應(yīng)用時(shí)，體二極管變?yōu)檎蚱?/span>

當(dāng)電源從系統(tǒng)斷開時(shí)，輸入電壓突然下降。

需要考慮反向電流阻斷的場(chǎng)合：

功率多路復(fù)用供電采用mos管控制時(shí)

oring控制。ORing與功率多路復(fù)用類似，不同之處在于，不是選擇一個(gè)電源為系統(tǒng)供電，而是始終使用最高電壓為系統(tǒng)供電。

斷電時(shí)，特別是輸出電容比輸入電容大的多的時(shí)候，電壓下降的慢。

危害：

- 反向電流會(huì)損壞內(nèi)部電路和電源

- 反向電流尖峰還會(huì)損壞電纜和連接器

- mos管的體二極管功耗上升甚至損壞

優(yōu)化方法

1）采用二極管

二極管，特別是肖特基二極管，天然具有反向電流和反極性保護(hù)的功能，但是成本高，反向漏電流大，需要散熱。

2）采用背對(duì)背的mos管

兩個(gè)方向都可以阻斷，但是占板面積大，導(dǎo)通阻抗大，成本高，在mos管工作時(shí)，不能提供反向阻斷。

下圖中，控制三極管導(dǎo)通時(shí)，其集電極為低，兩Pmos管導(dǎo)通，當(dāng)三極管關(guān)斷時(shí)，若輸出比輸入高，右側(cè)mos管體二極管導(dǎo)通，使得其D級(jí)為高，使得G級(jí)為高，左側(cè)mos管體二極管不通，同時(shí)由于mos管的VSG為體二極管壓降達(dá)不到門檻電壓，所以兩mos管關(guān)斷，這樣阻斷輸出到輸入的電流。

反向電流阻斷 mos管