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以電路分析開關電源Layout原則-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-10-14 

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以電路分析開關電源Layout原則-KIA MOS管


開關電源PCB Layout原則

以同步整流BUCK電路為例分析開關電源Layout原則。


開關電源 Layout


首先分析工作原理,下文用SM指代Switch MOSFET,RM指代Recifier MOSFET。


SM和RM兩管互補導通,SM導通時電源給電感充電,SM電流i1線性上升;當RM導通時,i1變為0,電感給負載放電,RM電流i2線性下降,具體波形如下圖所示。


開關電源 Layout


接著元器件就是布局規則

①SM和RM上通過的電流存在較大的突變,即較高的 di/dt,和輸入濾波電容會形成環路,該環路上PCB引線寄生電感(nH級別)會產生較大的電壓尖峰,同樣會產生較大的磁場輻射,因此需要保證環路面積小。


②功率電路和控制電路分隔開


③補償網絡要靠近控制芯片放置,使用短的引線,遠離功率信號。



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