以電路分析開(kāi)關(guān)電源Layout原則-KIA MOS管

開(kāi)關(guān)電源PCB Layout原則

以同步整流BUCK電路為例分析開(kāi)關(guān)電源Layout原則。

開(kāi)關(guān)電源 Layout

首先分析工作原理，下文用SM指代Switch MOSFET，RM指代Recifier MOSFET。

SM和RM兩管互補(bǔ)導(dǎo)通，SM導(dǎo)通時(shí)電源給電感充電，SM電流i1線性上升；當(dāng)RM導(dǎo)通時(shí)，i1變?yōu)?，電感給負(fù)載放電，RM電流i2線性下降，具體波形如下圖所示。

開(kāi)關(guān)電源 Layout

接著元器件就是布局規(guī)則

①SM和RM上通過(guò)的電流存在較大的突變，即較高的 di/dt，和輸入濾波電容會(huì)形成環(huán)路，該環(huán)路上PCB引線寄生電感(nH級(jí)別)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰，同樣會(huì)產(chǎn)生較大的磁場(chǎng)輻射，因此需要保證環(huán)路面積小。

②功率電路和控制電路分隔開(kāi)；

③補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)要靠近控制芯片放置，使用短的引線，遠(yuǎn)離功率信號(hào)。

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