關(guān)于過驅(qū)動電壓Veff/Vod的分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-29
Veff=VGS-VTH，表示過驅(qū)動電壓。
表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實是一個變值，會隨VGS電壓變化而變化，也會受VTH的影響（體效應），其實是我們設(shè)計過程中可能會經(jīng)常出現(xiàn)的一個名詞，經(jīng)常會設(shè)計一個比較固定的過驅(qū)動電壓。
另外，過驅(qū)動電壓也可以表示稱為Vod，直觀的表示就是over drive voltage。
下面通過對過驅(qū)動電壓Vod的變化情況，來看下NMOS的工作區(qū)：
1、VGS>VTH，且VDS<Veff：
MOS管工作在線性區(qū)（三極管區(qū)），此時的電流是：
2、VGS>VTH，且VDS>Veff ( VDS>VGS-VTH ----> VGD<VTH )：
MOS管工作在飽和區(qū)，此時的電流是：
如果考慮溝道長度調(diào)制效應的話是：
注意：ID描述的電流方向是從D端流向MOS管的。
下面是PMOS的工作區(qū)描述：
1、|VGS|>|VTH|，且|VDS|<|Veff|：
PMOS工作在線性區(qū)（三極管區(qū)），此時的電流是：
2、|VGS|>|VTH|，且|VDS|>|Veff|：
PMOS工作在飽和區(qū)，此時的電流是：
如果考慮溝道長度調(diào)制的話是：
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