【邏輯電路】CMOS門電路圖文分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-20
MOS管
電平較低的一端被認為是源極。襯底和地相連。
晶體管狀態(tài)由Vg控制。
Vg為低電平--源極和漏極之間無連接--晶體管斷開--開關斷開
Vg為高電平--源極和漏極之間相連接--晶體管導通--開關閉合
電平較低的一端被認為是源極。襯底和Vdd相連。
晶體管狀態(tài)由Vg控制。
Vg為低電平--源極和漏極之間無連接--晶體管斷開--開關斷開
Vg為高電平--源極和漏極之間相連接--晶體管導通--開關閉合
MOS管的漏極D和源極S作為開關兩端接在電路中，開關通斷受柵極G的電壓控制。
CMOS門電路
就是將PMOS與NMOS組合起來的電路
電路結構
對于輸入信號給定一定值，Vff要么被PDN下拉至0，要么被PUN下拉至VDD。
PDN和PUN中晶體管的數(shù)量相同，且兩個網(wǎng)絡成對安排。
若PDN中NMOS的晶體管串行連接，則PUN中PMOS晶體管是并行連接。反之亦然。
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