MOS高壓側自舉升壓電路分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-07-25
MOS高壓側自舉升壓電路
如果不添加自舉電路，
舉例如下：
如果MOS的Drink極電壓為12V，Source極電壓原為0V，Gate極驅動電壓也為12V，那么當MOS在導通瞬間，Soure極電壓會升高為Drink減壓減去一個很小的導通壓降，那么Vgs電壓會接近于0V，MOS在導通瞬間后又會關斷，再導通，再關斷。
如此下去，長時間在MOS的Drink極與Source間通過的是一個N倍于工作頻率的高頻脈沖，這樣的脈沖尖峰在MOS上會產生過大的電壓應力，很快MOS管會被損壞。
如果在MOS的Gate與Source間接入一個小電容，在MOS未導通時給電容充電，在MOS導通，Source電壓升高后，自動將Gate極電壓升高，便可使MOS保持繼續導通。
圖中自舉升壓電路解析（電荷泵工作原理）：
1、上電時：電源+11V流過D1、D2向C3充電，C3上的電壓很快升至接近11V；
2、如果Q6導通，C1負極被拉低，C1形成充電回路，會很快C1充電至11V;
3、當PWM波形翻轉，Q6截止，Q3導通，C1負極電位被抬高到接近電源電壓11V，水漲船高，此時C1正極電位已超過電源電壓，并高于C3端電壓。因為D1的存在，該電壓不會向電源倒流；
4、此時開始先C3充電，C3上的端電壓被充至接近2倍電源電壓22V；
5、只要Q3、Q6一直輪流導通和截止，C1就會不斷向C3充電，使C3端電壓一直保持22V的電壓。
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