NMOS管 18A60V KIA6706A參數資料 原廠現貨直銷-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-04-20
KIA6706A是高單元密度溝槽式N-ch MOSFET，可提供出色的RDSON；大多數同步buck變換器應用的門極電荷。KIA6706A符合RoHs和綠色產品要求。
RDS(on)=7.5mΩ(typ)@VGS=10V
超低門電荷
綠色設備可用
Cdv/dt效應下降
先進的高密度溝槽技術
產品型號：KIA6706A
工作方式：18A/60V
漏源電壓：60V
柵源電壓：±20A
漏電流連續：18A
脈沖漏極電流：75A
雪崩電流：40A
雪崩能量：80mJ
耗散功率：2.7W
熱電阻：45℃/V
漏源擊穿電壓：60V
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：3307PF
輸出電容：201PF
上升時間：41.2ns
封裝形式：SOP-8
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。
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