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半導(dǎo)體MOSFET和MESFET有什么區(qū)別,基本原理是什么?

信息來(lái)源:本站 日期:2017-07-27 

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  MESFET并不是MOSFET的筆誤,而是另一種功率JFET,它是“Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor”的縮寫,大致含義是“金屬—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。

   MOSFET采用橫向雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來(lái)兼顧工作頻率與功率的要求,MESFET則采用肖特基勢(shì)壘柵極(Schottky Gate FET)結(jié)構(gòu)(圖1.24)。就PN結(jié)的特性而言,與肖特基二極管并無(wú)本質(zhì)上的區(qū)別。眾所周知,肖特基勢(shì)壘的基本結(jié)構(gòu)就是“Metal-Semiconductor”(金屬-半導(dǎo)體),MESFET也是由此得名。雖然都是橫向溝道,但是MESFET的溝道更短。

   MESFET的肖特基勢(shì)壘柵極通常采用的材料為GaAs(Gallium  Arsenide,砷化鎵),新一代半導(dǎo)體材料InP(Indium Phosphide,磷化銦)和SiC( SiliconCarbide,碳化硅)也開(kāi)始有應(yīng)用。

   從工作模式來(lái)看,MESFET也有增強(qiáng)型與耗盡型之分,這一點(diǎn)與MOSFET是相近的,其實(shí),它的肖特基勢(shì)壘柵極與MOS柵極也是有相似之處的。

   MESFET主要作為功率微波器件用在“固態(tài)”發(fā)射機(jī)上,工作頻率可達(dá)45GHz以上,比JFET和MOSFET都要高。


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