?如何抑制反激電源中的振鈴現(xiàn)象？詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-03-17
反激電源是最常用的拓撲之一。其變壓器漏感常會引起原邊振鈴，并導(dǎo)致會損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此，通過變壓器和MOSFET 組件的合理設(shè)計來控制振鈴非常重要。
在反激電路中，MOS管關(guān)斷之后變壓器會將原邊的能量轉(zhuǎn)移到副邊。但漏感中的能量卻無法轉(zhuǎn)移，這部分的能量會在電路中的雜散電容上產(chǎn)生振鈴。
所以說振鈴產(chǎn)生的根本原因是漏感的存在，但是漏感是無法消除的，一般只能通過設(shè)計繞線方式來減小漏感，漏感量通常是1%-5%的電感量。
常用減小漏感的繞線方式就是“三明治”繞線法，類似我們吃到三明治，將初次繞組Np一分為2，將次級繞組Ns包住，即先繞制一半Np，再繞輔助繞組，最后再繞剩下一半Np。
反激電路中，MOS在關(guān)斷后，其兩端電壓由三部分組成，輸入電壓最大值Vinmax，副邊折射電壓VoR=N x Vout和振鈴產(chǎn)生的尖峰電壓Vspike，在輸入輸出電壓，匝比N和MOS選定的情況下，我們就需要盡量抑制Vspike來保證MOS工作在應(yīng)力范圍內(nèi)。
在抑制振鈴方面，通常工程師會選擇RCD鉗位電路，因為其設(shè)計簡單、成本較低， 并且可以有效壓制電壓尖峰。
正確選擇 RCD 鉗位電路至關(guān)重要，因為不理想的電阻和電容值會增加 MOSFET 的應(yīng)力或電路功耗。
圖 3 顯示出，當 MOSFET 導(dǎo)通時，能量存儲在勵磁電感 (LM) 和漏電感 (LS) 中；當 MOSFET 關(guān)斷時，LM 中的能量被轉(zhuǎn)移到副邊，但漏感能量不會轉(zhuǎn)移。
漏感會被釋放以導(dǎo)通D1，并為 C1充電。一旦充電電壓達到 VCLAMP，則D1 關(guān)斷，C1 通過R1放電。
圖 3：MOSFET 導(dǎo)通/關(guān)斷時的能量傳輸
MOS開通時刻，能量存儲在勵磁電感Lm和漏感Ls中，當MOS關(guān)斷時候，Lm中能量會傳到副邊，但漏感中能量卻不會。這時候漏感會釋能，D1導(dǎo)通給C1充電，當充電電壓到達Vclamp時，D1截止，C1通過R1放電。
接下來，根據(jù)能量守恒的原則和以上的計算公式，可以推導(dǎo)出R1值（見如下計算公式），R1在具體選擇時需要考慮電阻功率1/3的降額。
箝位電容C1的值應(yīng)取得足夠大以保證其在吸收漏感能量時自身的脈動電壓足夠小，通常取這個脈動電壓為箝位電壓的5%--10%這樣，我們就可通過下式來確定C1的最小值，C1需要選擇寄生R和L較小的。
總而言之，想要控制好反激原邊振鈴，RCD可以作為一種簡單有效的抑制手段，通過合理設(shè)置RC，可以較好地吸收漏感能量，同時不消耗主勵磁電感能力，還能將尖峰電壓鉗位到一個合理的范圍內(nèi)，既抑制了電壓尖峰，又減輕了功率器件開關(guān)應(yīng)力，一舉兩得。
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