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關(guān)于功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)分享-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-02-18 

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關(guān)于功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)分享-KIA MOS管


1、什么是電流額定值?

電氣設(shè)備(如斷路器,電機(jī)或變壓器)的電流額定值,是指在某個電流下,器件本身達(dá)到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值,但是并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此,只能假設(shè)環(huán)境溫度。


這就帶來了兩種后果:

每個電流額定值都與環(huán)境溫度相關(guān)(環(huán)境,散熱器,殼)。不考慮環(huán)境溫度而討論電流額定值是無意義的。


電流額定值相關(guān)的溫度可能與實(shí)際工作條件有關(guān),也可能無關(guān)。如果有關(guān),電流額定值可用于指示實(shí)際應(yīng)用中器件的電流能力。如果器件的額定值是在典型工作環(huán)境(如25oC)不會遇到的溫度時得出的值,它就無法提供應(yīng)用中實(shí)際器件能力的信息。該值只能用來比較相似器件在相同溫度時的電流額定值。


電氣設(shè)備(如電機(jī),斷路器)的電流額定值由各種協(xié)議和法規(guī)規(guī)定。其它器件,如變壓器,電阻和半導(dǎo)體的電流額定值都在數(shù)據(jù)手冊中進(jìn)行了定義。因此,用戶必須核實(shí)器件能否在以下條件運(yùn)行:


應(yīng)用中出現(xiàn)最大電流時

最大環(huán)境溫度時

未超出數(shù)據(jù)手冊中規(guī)定的最高溫度時

為了核實(shí)這3個要素,用戶必須進(jìn)行“熱設(shè)計(jì)”。

這可以是一項(xiàng)簡單的工作,或者是通過復(fù)雜的有限元分析得出結(jié)論。


此時,精明的讀者會意識到當(dāng)他做熱設(shè)計(jì)時,就能找出實(shí)際應(yīng)用中器件的電流額定值,而不需要制造商所提供的電流額定值。制造商提供的各個電流額定值僅用于表明器件的能力,并縮小選擇范圍。


2、功率半導(dǎo)體電流額定值


熱設(shè)計(jì)對功率半導(dǎo)體非常重要,原因如下:

功率半導(dǎo)體的工作電流密度極大,且結(jié)溫和環(huán)境溫度相差極大

功率半導(dǎo)體的熱質(zhì)量極小,且會在幾毫秒之內(nèi)進(jìn)入熱失控


因此,功率半導(dǎo)體必須進(jìn)行散熱處理,且設(shè)計(jì)者須負(fù)責(zé)選擇散熱器或其它冷卻方法,即進(jìn)行“熱設(shè)計(jì)”。


3、不間斷電流額定值

典型的功率半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊包含了一個或多個“不間斷電流額定值”,通常由曲線圖補(bǔ)充,如圖1所示。這是基于以下假設(shè):


功率半導(dǎo)體正在導(dǎo)通固定量的電流(無開關(guān)損耗)

在結(jié)里產(chǎn)生的熱量流入到無限散熱器

熱源和殼的溫度是恒定不變的。熱源(結(jié))的溫度為最大值


半導(dǎo)體 電流額定值 熱設(shè)計(jì)

圖 1.在器件封裝所允許的限值范圍內(nèi)時,不間斷電流額定值與殼溫之間的函數(shù)關(guān)系(IRLS3036PBF)


在以上假設(shè)下,計(jì)算熱值的方程式可簡化為:

半導(dǎo)體 電流額定值 熱設(shè)計(jì)


由于器件制造商事先不知道使用器件時的熱環(huán)境,因此他將管殼溫度用作參考點(diǎn)得出了電流額定值。


然而,在實(shí)際應(yīng)用中,需考慮整個熱系統(tǒng),因此以上簡化方程式轉(zhuǎn)變?yōu)椋?/span>

半導(dǎo)體 電流額定值 熱設(shè)計(jì)


其中:

TJ= 結(jié)溫

TA= 環(huán)境溫度

RthJ-C= 結(jié)到殼熱阻抗

RthC-S = 殼到散熱器熱阻抗

RthS-A= 散熱器到環(huán)境熱阻抗

PAV= 平均功率耗散


通常,可利用以上公式計(jì)算出半導(dǎo)體的不間斷電流額定值。MOSFET有一個獨(dú)特的特性:電流和功率耗散呈平方關(guān)系。因此,通過下列公式就可計(jì)算出電流額定值:

半導(dǎo)體 電流額定值 熱設(shè)計(jì)


其中RDS(on)是在額定TJmax時的導(dǎo)通電阻。RthJC 是內(nèi)部結(jié)到殼熱阻抗最大值,Tc是管殼溫度。其它功率器件的電流和功率耗散是非線性的關(guān)系,因此必須通過迭代過程確定其電流額定值。


在大多數(shù)應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體的管殼溫度高于80oC。因此,功率器件的可用不間斷直流電流適用于80°和110°C之間的任意管殼溫度。這樣,管殼溫度和環(huán)境溫度之間有了足夠的差距,散熱器就能處理熱傳遞。25°C電流額定值是第一代雙極晶體管JEDEC遺留下來的標(biāo)準(zhǔn)值。


低壓MOSFET技術(shù)的進(jìn)步降低了傳導(dǎo)損耗,使得封裝成為不間斷電流額定值的限制因素。圖1描述了這一點(diǎn)。


4、開關(guān)模式操作中的電流能力

前述討論的不間斷電流額定值只作為一個比較基準(zhǔn),給設(shè)計(jì)者帶來的直接用途很有限,原因如下:


功率晶體管一般運(yùn)行在開關(guān)模式,其占空比大大低于100%。設(shè)計(jì)者真正感興趣的是在實(shí)際“開關(guān)”操作情況下的載流能力


在開關(guān)模式下操作時,功率晶體管產(chǎn)生開關(guān)損耗。必須通過計(jì)算得出這些開關(guān)損耗,并將其添加到傳導(dǎo)損耗


開關(guān)模式下功率器件的選擇取決于浪涌要求,而非不間斷電流額定值和載流能力


只要第三節(jié)描述的第2種情況和第3種情況有效,我們就可以使用基本的熱值方程式計(jì)算出結(jié)溫。此時假定我們已知系統(tǒng)的功率耗散和熱阻抗。


通常將功率耗散分成2部分:傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。功率MOSFET里的傳導(dǎo)損耗計(jì)算方法為Irms2 x RDS(on)。不同波形的RMS內(nèi)容可在附錄中找到。開關(guān)損耗可通過開關(guān)波形,柵極電荷或分析方法計(jì)算出。IGBT的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗計(jì)算方法更為復(fù)雜。


第3節(jié)基本方程式中的功率指“平均”功率,且只要操作頻率相對于系統(tǒng)熱慣量高,結(jié)果就有效。隨著操作頻率上升,結(jié)的熱質(zhì)量消除瞬時溫度波動,且結(jié)更多地對平均功率損耗做出響應(yīng),而不是峰值功率損耗。


頻率高于幾千赫茲,且占空比大于20%時,逐周期溫度波動縮小,且峰值結(jié)溫上升等于平均功率耗散乘以DC結(jié)至殼熱阻抗,誤差在一個或兩個百分點(diǎn)內(nèi)。


當(dāng)操作頻率很低時(幾十赫茲),必須計(jì)算溫度紋波。下面將要討論的瞬態(tài)熱阻抗曲線描述了在低頻操作時如何計(jì)算溫度紋波。


5、脈沖條件下的結(jié)溫

在脈沖條件下,第3節(jié)描述的3個假設(shè)不再有效:

器件在穩(wěn)態(tài)模式下不再導(dǎo)通電流

結(jié)里產(chǎn)生的熱量一部分到系統(tǒng)熱質(zhì)量,一部分到環(huán)境

熱系統(tǒng)的各個點(diǎn)處的溫度在浪涌期間上升。


計(jì)算結(jié)溫的正確方法需考慮熱流的三維性質(zhì),如圖2所示。通常通過有限元分析完成它。由于導(dǎo)通電阻和溫度成函數(shù)關(guān)系,功率耗散會隨著時間增加,且在分析中必須考慮采用合理的功率半導(dǎo)體電氣模型。


半導(dǎo)體 電流額定值 熱設(shè)計(jì)

圖 2.由于熱量流向三個維度,因此“結(jié)溫”只是一個粗略估算值。結(jié)和熱系統(tǒng)剩余部分的不同點(diǎn)溫度不同。


在很多應(yīng)用中,結(jié)溫估算值就已足夠。此時,有兩種方法可以得出該估算值,具體如下:


瞬態(tài)熱阻抗

瞬態(tài)熱阻抗(或者更準(zhǔn)確地說,叫熱響應(yīng)曲線)如圖3所示,且在所有的數(shù)據(jù)手冊中可以查看。


半導(dǎo)體 電流額定值 熱設(shè)計(jì)

圖3. 瞬態(tài)熱阻抗曲線。請注意這是SPICE仿真的熱參數(shù)(IRLS3036PBF)。


該曲線提供了給定時段內(nèi)(x軸)浪涌的熱反應(yīng)系數(shù)(y軸)。如上圖所示,熱反應(yīng)系數(shù)(或熱阻抗)與導(dǎo)通時間t內(nèi)的功率耗散(即導(dǎo)通脈沖內(nèi)的功率,而非整個周期內(nèi)的平均功率)相乘得出重復(fù)性結(jié)到殼溫峰值的上升值。功率耗散則可通過浪涌期間器件兩端的電壓和電流計(jì)算出。


請注意對于長脈沖(在圖3中約10ms),熱反應(yīng)與熱阻抗相等。

在有些數(shù)據(jù)手冊中,熱反應(yīng)系數(shù)歸一化為1。這意味著該系數(shù)需進(jìn)一步與數(shù)據(jù)手冊里的熱阻抗相乘。


瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線假定恒定的管殼溫度。這通常對短于1到5ms的脈沖有效,具體脈沖長度取決于封裝的熱質(zhì)量。對于更長的浪涌脈沖,殼溫開始上升,結(jié)果就不是那么準(zhǔn)確了。在空氣中或PQFN封裝下操作,殼溫最多上升1毫秒,該曲線不提供有用的信息。在這些情況下,必須采用有限元分析模擬整個熱系統(tǒng)。


對于大多數(shù)應(yīng)用(短脈沖和顯著熱質(zhì)量),如第3節(jié)描述,由于TC主要取決于平均功率耗散,因此它是可計(jì)算的。在穩(wěn)態(tài)工作條件下,將溫度紋波疊加到平均管殼溫度,得到峰值結(jié)溫絕對值。


當(dāng)結(jié)溫里的紋波很明顯時,瞬態(tài)熱阻抗曲線可用于計(jì)算重復(fù)率極低的功率脈沖的峰值溫度。合理的熱響應(yīng)發(fā)生在x軸上的脈沖寬度與適當(dāng)占空比曲線交叉處。如上所述,熱響應(yīng)系數(shù)必須與脈沖期間的功率耗散相乘,然后再疊加到管殼溫度。




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