PMOS過壓保護電路原理圖及分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-11-02
VB:蓄電池電壓電源
V18_PTB5: MCU IO口，發出高電平使VB_PMOS電壓輸出有效，TTL電平
VB_PMOS：經過PMOS保護電壓輸出
VB_P_PROT：經二極管反向保護的PMOS輸出電壓
PMOS過壓保護電路原理圖
電路功能：若控制器中使用loaddump保護電壓小于46V的器件，可以使用此電路模塊中的方案為這些器件提供過壓保護，特別是在load dump情況下。
Pspice仿真分析:模擬的是典型情況下的經過TVS管抑制后的Load dump電壓曲線，可以明顯看出當VB>36V時，穩壓管開始起作用，迅速關閉Q411和PMOS管。
只要過壓信號一直存在，PMOS管就會一直保持關斷狀態，直至VB跌落回36V安全電壓以內。
綠色、紅色曲線分別對應為VB_P_PROT，VB
穩壓管取值:Accuracy為穩壓管的精度，VZ 是穩壓管在25℃下的標稱值，SZ是穩壓管的溫度系數，△T是溫度變化，即T-25℃， Vz’’(max)是最壞情況下的穩壓值。
若需要Q410導通，點A電壓需要650mV，即使忽略R411上面的電壓，點B的電壓也要至少有650mV，如果出現最惡劣的工況，D410的穩壓值出現41.964V的情況，那么，VB的電壓至少也得有42.65V。
這時，某些需要保護的器件可能已經失效，電路無法達到預期效果。所以建議使用36V的穩壓管。但是，36V穩壓管在低溫-40℃時，有可能會提前工作，即35V下就會使Q410動作。
PMOS參數計算
根據計算，
Rth(j-a)*Pmax=Tj(max)-Ta,
Pmax=1.8W
ID(max) 2* Rds(on) =Pmax
ID(max)=10.95A
受PMOS保護的Vbat電源負載電流不能超過10.95A
ISO7637實驗驗證
i. 試驗條件：Us=30V；Ua=27V；Ri=5.5Ohm；Td=350mS；Pload=10w
ii. 試驗結果：電路功能狀態正常
iii. 試驗電路監測點及試驗結果波形如下圖
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>