開(kāi)關(guān)電源中的尖峰吸收電路詳細(xì)分析-KIA MOS管

尖峰吸收電路

開(kāi)關(guān)電源的主元件大都有寄生電感與電容，寄生電容Cp一般都與開(kāi)關(guān)元件或二極管并聯(lián)，而寄生電感L通常與其串聯(lián)。由于這些寄生電容與電感的作用，開(kāi)關(guān)元件在通斷工作時(shí)，往往會(huì)產(chǎn)生較大的電壓浪涌與電流浪涌。

開(kāi)關(guān)的通斷與二極管反向恢復(fù)時(shí)都要產(chǎn)生較大電流浪涌與電壓浪涌。而抑制開(kāi)關(guān)接通時(shí)電流浪涌的有效方法是采用零電壓開(kāi)關(guān)電路。

另一方面，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)的電壓浪涌與二極管反向恢復(fù)的電壓浪涌可能會(huì)損壞半導(dǎo)體元件，同時(shí)也是產(chǎn)生噪聲的原因。

為此，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，就需要采用吸收電路。二極管反向恢復(fù)時(shí)，電壓浪涌產(chǎn)生機(jī)理與開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)相同，因此，這種吸收電路也適用于二極管電路。

本文介紹了RC、RCD、LC等吸收電路，這些吸收電路的基本工作原理就是在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)為開(kāi)關(guān)提供旁路，以吸收蓄積在寄生電感中的能量，并使開(kāi)關(guān)電壓被鉗位，從而抑制浪涌電流。

尖峰吸收電路

1.RC吸收電路

圖1所示是一個(gè)RC吸收網(wǎng)絡(luò)的電路圖。

它是電阻Rs與電容Cs串聯(lián)的一種電路，同時(shí)與開(kāi)關(guān)并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。若開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，蓄積在寄生電感中的能量對(duì)開(kāi)關(guān)的寄生電容充電的同時(shí)，也會(huì)通過(guò)吸收電阻對(duì)吸收電容充電。

這樣，由于吸收電阻的作用，其阻抗將變大，那么，吸收電容也就等效地增加了開(kāi)關(guān)的并聯(lián)電容的容量，從而抑制開(kāi)關(guān)斷開(kāi)的電壓浪涌。

而在開(kāi)關(guān)接通時(shí)，吸收電容又通過(guò)開(kāi)關(guān)放電，此時(shí)，其放電電流將被吸收電阻所限制。

2.RC吸收電路

RCD吸收電路如圖2所示，它由電阻Rs、電容Cs和二極管VDs構(gòu)成，其中電阻Rs也可以與二極管VDs并聯(lián)連接。

若開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，蓄積在寄生電感中的能量將通過(guò)開(kāi)關(guān)的寄生電容充電，開(kāi)關(guān)電壓上升。

其電壓上升到吸收電容的電壓時(shí)，吸收二極管導(dǎo)通，從而使開(kāi)關(guān)電壓被吸收二極管所鉗位(約為1 V左右)，同時(shí)寄生電感中蓄積的能量也對(duì)吸收電容充電。開(kāi)關(guān)接通期間，吸收電容則通過(guò)電阻放電。

RC吸收網(wǎng)絡(luò)電路

采用RC和RCD吸收電路也可以對(duì)變壓器消磁，而不必另設(shè)變壓器繞組與二極管組成的去磁電路。

變壓器的勵(lì)磁能量都會(huì)在吸收電阻中消耗掉。RC與RCD吸收電路不僅可以消耗變壓器漏感中蓄積的能量，而且也能消耗變壓器勵(lì)磁能量，因此，這種方式同時(shí)降低了變換器的變換效率。

由于RCD吸收電路是通過(guò)二極管對(duì)開(kāi)關(guān)電壓鉗位，效果要比RC好，同時(shí)，它也可以采用較大電阻，但能量損耗也比RC小。

LC吸收電路

(LC電路是由電容、電感、電阻等元件和電子器件組成的能夠產(chǎn)生振蕩電流或具有濾波作用的電路，由電感線圈L和電容器C相連而成的LC電路是簡(jiǎn)單的一種LC電路)。

LC吸收電路如圖3所示，它由Ls、Cs、VDs1和VDs2構(gòu)成。

若開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，蓄積在漏磁或勵(lì)磁等電感中的能量可通過(guò)VDs1經(jīng)電容Cs放電，使吸收電容Cs電壓反向，從而使變壓器由電容電壓消磁。

這期間，輸入電壓與吸收電容的電壓加到開(kāi)關(guān)上的電壓極性再次反向。一般情況下，LC吸收電路不消耗能量。

要提高開(kāi)關(guān)頻率，同時(shí)提高開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的質(zhì)量，電壓浪涌與電流浪涌問(wèn)題必須重點(diǎn)考慮。本文是在分析了干擾產(chǎn)生機(jī)理以及經(jīng)過(guò)大量實(shí)踐的基礎(chǔ)上，提出了這種行之有效的抑制措施。

因此，要解決好浪涌問(wèn)題，還要結(jié)合設(shè)計(jì)的實(shí)際，分析浪涌產(chǎn)生的機(jī)理，結(jié)合實(shí)際來(lái)設(shè)計(jì)浪涌吸收電路，以使開(kāi)關(guān)電源的浪涌干擾降到點(diǎn)。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車(chē)公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助