MOS管與晶閘管有何區(qū)別?詳細(xì)分析-KIA MOS管

MOS管與晶閘管的區(qū)別

MOS管是單極性器件，晶閘管是半控器件。晶閘管的正極相當(dāng)于MOS管的漏極，門(mén)極相當(dāng)于MOS管的柵極，陰極相當(dāng)于MOS管的源極。控制是有所區(qū)別的，晶閘管是半控型器件，MOS管是全控型器件。

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) ,簡(jiǎn)稱氧半場(chǎng)效晶體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管flild-effect transistor)。

該器件通過(guò)在柵極(G)_上施加電壓,使得源極(S)和漏極(D)之間導(dǎo)通,當(dāng)撤去電壓或施加負(fù)電壓 ,則使得源極(S)和漏極(D)之間斷開(kāi)。

晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又被稱作可控硅整流器。晶閘管主要用于電力變換與控制,通過(guò)微小的信號(hào)功率對(duì)大功率的電力進(jìn)行控制,具有體積小重量輕、耐壓高、容量大、效率高、控制靈敏、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。

晶閘管除了用于整流,還可以作為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)電力的逆變和變頻等變換。

半導(dǎo)體防護(hù)器件主要有半導(dǎo)體放電管. (TSS)、瞬態(tài)抑制二極管( TVS)、靜電防護(hù)元件(ESD)、高壓觸發(fā)二極管( SIDAC)等,可用于汽車電子、手機(jī)、戶外安防、電腦主機(jī)等各類需要防浪涌沖擊防靜電的領(lǐng)域,用于保護(hù)電子電路。

MOS管與晶閘管的控制方式不同

1、MOS管

隨著電子技術(shù)不斷進(jìn)步，MOS管的種類有好幾種，我們最常見(jiàn)的有結(jié)型MOS管（FET管）和金屬氧化物半導(dǎo)體MOS管（MOSFET管）這兩類。

這兩類MOS管都有一個(gè)共同的特點(diǎn)，它們都是利用半導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制MOS管電流大小的，下面用金屬氧化物半導(dǎo)體MOS管來(lái)說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題。

比如下圖的N溝道MOS管，當(dāng)柵極與源極間的Ugs電壓大于一定值時(shí)，并且Uds大于零，這時(shí)Rds的等效電阻非常小，就可以有較大的電流由漏極流向源極，它們之間就好像用一根導(dǎo)線連起來(lái)一樣。

MOS管晶閘管

當(dāng)柵極G與源極S間的Ugs電壓小到一定值的時(shí)候，或者Ugs電壓等于零的時(shí)候，那么漏極D和源極S之間的等效電阻就非常大，就像斷開(kāi)的導(dǎo)線一樣無(wú)論如何是沒(méi)有電流通過(guò)的。

由此可見(jiàn)MOS管是通過(guò)在柵極和源極之間建立了一定的電壓后才控制了漏極與源極之間的接通的。

2、晶閘管

再說(shuō)一說(shuō)這個(gè)晶閘管，它是一個(gè)功率半導(dǎo)體器件，是在二極管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，可用于整流半導(dǎo)體器件。

如何控制它的通斷，要使晶閘管導(dǎo)通要滿足兩個(gè)條件，第一個(gè)是要給晶閘管的控制極G加一個(gè)觸發(fā)信號(hào)，也就是在門(mén)極G和晶閘管的陰極K之間加一個(gè)足夠大的正向電流與電壓，

同時(shí)呢晶閘管的陽(yáng)極要高于陰極，這樣陽(yáng)極A與陰極K之間的等效電阻就非常小了，就像用導(dǎo)線連接起來(lái)一樣。

MOS管晶閘管

當(dāng)要關(guān)斷晶閘管時(shí)，只要我們把陽(yáng)極A與陰極K之間的電流減小到一定值的時(shí)候，這個(gè)晶閘管的陽(yáng)極A與陰極K之間就像斷開(kāi)一樣，無(wú)法有電流通過(guò)。或者我們把晶閘管的陽(yáng)極A的電壓低于陰極K的電壓也可以關(guān)斷這個(gè)晶閘管。

通過(guò)上面的分析我們可以知道，MOS管與晶閘管的控制方式是不同的，MOS管是電壓控制其通斷的半導(dǎo)體器件，我們稱它是壓控型器件；

晶閘管的控制方式是由一定的電流值來(lái)觸發(fā)晶閘管的導(dǎo)通，我們俗稱它是流控型器件而且它是一個(gè)半控型半導(dǎo)體器件，也就是說(shuō)晶閘管的門(mén)控極G只能控制晶閘管的導(dǎo)通而不能控制晶閘管的關(guān)斷。

MOS管與晶閘管的輸入電阻不同

MOS管的直流等效輸入電阻非常高，其阻值可以達(dá)到10九次方歐姆，對(duì)于MOSFET管來(lái)說(shuō)最高可以達(dá)到10十五次方歐姆，鑒于這樣的特點(diǎn)來(lái)說(shuō)由MOS管組成的電路功耗都比較小、它的穩(wěn)定性和抗干擾能力都很強(qiáng)，所以現(xiàn)在很多集成芯片中都采用的是MOS管組成的集成電路，有的工作電壓可以低到2V以下。

而對(duì)與晶閘管組成的電路來(lái)說(shuō)在輸入直流等效電阻方面它比較低、這樣就決定了它的功耗非常大，抗干擾能力遠(yuǎn)不如MOS管，這也就說(shuō)明了晶閘管組成的電路它的穩(wěn)定性也不如MOS管。

MOS管晶閘管