晶閘管性能判別電路原理分析-KIA MOS管

晶閘管簡介

晶閘管(SCR)，舊稱可控硅，是一種可控型整流元件，其電路符號(hào)A為陽極，K為陰極，G為控制極。

晶閘管性能鑒別

(1)判別電極用紅表棒固定接觸任一電極不變，黑表棒分別接觸其余兩個(gè)電極，如果接觸一個(gè)極時(shí)一次顯示0.2~0.8V,接觸另一個(gè)電極時(shí)顯示溢出，則紅表棒所接的為G，顯示溢出時(shí)黑表棒所接的為A，另一極為K。

若測(cè)得不是上述結(jié)果，需將紅表棒改換電極重復(fù)以上步驟，直至得到正確結(jié)果。

(2)判別觸發(fā)特性數(shù)字萬用表二極管擋所能提供的測(cè)試電流僅有1mA左右，故只能用于考察小功率單向晶閘管的觸發(fā)能力。

操作方法如下:用紅表棒固定接觸A不變，黑表棒接觸K，此時(shí)應(yīng)顯示溢出(關(guān)斷狀態(tài))。接著將紅表棒在保持與A接通的前提下去碰觸G，此時(shí)顯示值一般在0.8V以下(轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài))。隨即將紅表棒脫離控制極，導(dǎo)通狀態(tài)將繼續(xù)維持。

如果反復(fù)多次測(cè)試都是如此，說明管子觸發(fā)靈敏可靠。這種方法只適用于維持電流較小的管子。

晶閘管性能判別電路

晶閘管性能判別電路如圖所示。

電路工作原理

按圖所示的方法接好被測(cè)試晶閘管VS后，接通交流電源。220V交流電壓經(jīng)VD1～VD4整流以及電容器C1濾波后，輸出直流電壓并加在被測(cè)試晶閘管兩端。

與此同時(shí)，直流電壓還通過電阻器R2對(duì)電容器C2充電，為檢查晶閘管作好準(zhǔn)備。

操作開關(guān) SA3，使其接點(diǎn)(2—7)斷開，接點(diǎn)(1—7)接通，晶閘管的門極G獲得觸發(fā)電壓而導(dǎo)通，EL1、EL2 同時(shí)點(diǎn)亮。如果操作開關(guān) SA3 后，EL1、EL2 沒有點(diǎn)亮，則表示晶閘管已損壞。

如果第一步檢查通過，可將 SA1 打到另一擋(2、3)，切斷直流電源的供電回路，電容器C1儲(chǔ)存的能量通過電阻器R1釋放，EL1、EL2熄滅。

然后將選擇開關(guān)SA2打到右邊，即接點(diǎn)(2—5)、(1—6)接通，使SA1開關(guān)回到初始位置(1、4)。因此，晶閘管VS獲得反向直流電壓。

在晶閘管未加觸發(fā)電壓的情況下，如果 EL1、EL2 點(diǎn)亮，則表示晶閘管不能承受300V 反向電壓。按照指標(biāo)規(guī)定耐壓應(yīng)能達(dá)到或超過 300V 而實(shí)際不能承受時(shí)，視被測(cè)試管為不合格。

本電路不僅可以用來測(cè)試單向晶閘管，還可以通過操作 SA2 對(duì)雙向晶閘管提供兩個(gè)象限的測(cè)試。當(dāng)SA2在“1”位時(shí)，進(jìn)行第一象限測(cè)試;當(dāng)SA2在“2”位時(shí)，進(jìn)行第三象限測(cè)試。判別方法和單向晶閘管一樣。

注意事項(xiàng)

① 由于本電路用來測(cè)試的是大功率、高電壓晶閘管，因此要注意測(cè)試安全。當(dāng)需要操作晶閘管時(shí)，應(yīng)對(duì)電容器C1放電。在測(cè)試過程中，不要用手直接搖動(dòng)被測(cè)試器件。

② 如果要用本電路對(duì)低電壓、大功率晶閘管的性能進(jìn)行測(cè)試，則可在交流電源輸入端加入一臺(tái)自耦調(diào)壓器，選擇合適的電壓后再進(jìn)行測(cè)試。圖中的電阻可根據(jù)實(shí)際需要作相應(yīng)的變更。

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