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二極管的伏安特性曲線圖文詳解-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-08-31 

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二極管的伏安特性曲線圖文詳解-KIA MOS管


二極管伏安特性曲線

二極管的性能可用其伏安特性來描述。在二極管兩端加電壓,然后測出流過二極管的電流,電壓與電流之間的關(guān)系i=f(u)即是二極管的伏安特性曲線,如圖1所示。


二極管 伏安特性曲線

圖1 二極管伏安特性曲線


二極管的伏安特性表達(dá)式可以表示為式1-2-1

二極管 伏安特性曲線


其中iD為流過二極管兩端的電流,uD為二極管兩端的加壓,UT在常溫下取26mv。IS為反向飽和電流。


1、正向特性

特性曲線1的右半部分稱為正向特性,由圖可見,當(dāng)加二極管上的正向電壓較小時(shí),正向電流小,幾乎等于零。


只有當(dāng)二極管兩端電壓超過某一數(shù)值Uon時(shí),正向電流才明顯增大。將Uon稱為死區(qū)電壓。死區(qū)電壓與二極管的材料有關(guān)。一般硅二極管的死區(qū)電壓為0.5V左右,鍺二極管的死區(qū)電壓為0.1V左右。


當(dāng)正向電壓超過死區(qū)電壓后,隨著電壓的升高,正向電流將迅速增大,電流與電壓的關(guān)系基本上是一條指數(shù)曲線。


由正向特性曲線可見,流過二極管的電流有較大的變化,二極管兩端的電壓卻基本保持不變。通過在近似分析計(jì)算中,將這個(gè)電壓稱為開啟電壓。開啟電壓與二極管的材料有關(guān)。


一般硅二極管的死區(qū)電壓為0.7V左右,鍺二極管的死區(qū)電壓為0.2V左右。


2、反向特性

特性曲線1的左半部分稱為反向特性,由圖可見,當(dāng)二極管加反向電壓,反向電流很小,而且反向電流不再隨著反向電壓而增大,即達(dá)到了飽和,這個(gè)電流稱為反向飽和電流,用符號IS表示。


如果反向電壓繼續(xù)升高,當(dāng)超過UBR以后,反向電流急劇增大,這種現(xiàn)象稱為擊穿,UBR稱為反向擊穿電壓。二極管擊穿后不再具有單向?qū)щ娦浴?/span>


應(yīng)當(dāng)指出,發(fā)生反向擊穿不意味著二極管損壞。實(shí)際上,當(dāng)反向擊穿后,只要注意控制反向電流的數(shù)值,不使其過大,即可避免因過熱而燒壞二極管。當(dāng)反向電壓降低后,二極管性能仍可能恢復(fù)正常。


二極管 伏安特性曲線

圖2 二極管的溫度特性


3、溫度對二極管伏安特性的影響

溫度升高,正向特性左移,反向特性下移;室溫附近,溫度每升高1℃;正向壓降減少2-2.5mV;室溫附近,溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。二極管的溫度特性如圖2所示。



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