半導(dǎo)體常用名詞解釋-KIA MOS管

半導(dǎo)體名詞解釋

晶面指數(shù)：將晶面截距倒數(shù)之比簡(jiǎn)約為互質(zhì)整數(shù)之比，所得的互質(zhì)整數(shù)即為晶面指數(shù)。

空間點(diǎn)陣：構(gòu)成晶體節(jié)點(diǎn)的集合。

離子晶體：正負(fù)離子交替排列在晶格格點(diǎn)上，依靠離子鍵結(jié)合成的晶體稱為離子晶體。

原子晶體：原子交替排列在晶格格點(diǎn)上，依靠共價(jià)鍵結(jié)合成的晶體稱為原子晶體。

佛侖克爾缺陷：原子脫離格點(diǎn)后，同時(shí)形成空格點(diǎn)和間隙原子，空格點(diǎn)數(shù)等于間隙原子數(shù)，這稱為佛侖克爾缺陷。

肖脫基缺陷：原子或離子離開(kāi)原來(lái)所在的格點(diǎn)位置而形成的只有空位而不存在間隙原子的點(diǎn)缺陷。

施主能級(jí)：被施主雜質(zhì)束縛著的電子的能量狀態(tài)，稱為施主能級(jí)。

受主能級(jí)：被受主雜質(zhì)束縛著的電子的能量狀態(tài)，稱為施主能級(jí)。

本征半導(dǎo)體：完全沒(méi)有雜質(zhì)和缺陷的理想純凈和完整的半導(dǎo)體。

導(dǎo)帶：在絕對(duì)零度溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶，受到光電注入或熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶。

價(jià)帶：半導(dǎo)體或絕緣體中，在0K時(shí)能被電子占滿的最高能帶。

有效質(zhì)量：粒子在晶體中運(yùn)動(dòng)時(shí)具有的等效質(zhì)量。

遷移率：載流子(電子和空穴)在單位電場(chǎng)作用下的平均漂移速度。

雜質(zhì)散射：載流子運(yùn)動(dòng)到電離雜質(zhì)附近時(shí)，由于庫(kù)侖勢(shì)場(chǎng)的作用，就使載流子運(yùn)動(dòng)方向發(fā)生改變。

費(fèi)米能級(jí)：費(fèi)米能級(jí)是絕對(duì)零度時(shí)電子的最高能級(jí)。

準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)：在非平衡狀態(tài)下，由于導(dǎo)帶和價(jià)帶在總體上處于非平衡，因此就不能用統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)來(lái)描述導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴按能量的分布問(wèn)題。但由于導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴按能量在各自的能帶中處于準(zhǔn)平衡分布，可以有各自的費(fèi)米能級(jí)稱為準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。

載流子產(chǎn)生率：?jiǎn)挝粫r(shí)間單位體積內(nèi)產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)數(shù)。

載流子復(fù)合率：?jiǎn)挝粫r(shí)間單位體積內(nèi)復(fù)合掉的電子-空穴對(duì)數(shù)。

非平衡載流子：處于非平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體，其載流子比平衡狀態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱為非平衡載流子。

直接復(fù)合：電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間直接躍遷而產(chǎn)生復(fù)合。

間接復(fù)合：電子和空穴通過(guò)禁帶的能級(jí)進(jìn)行復(fù)合。

陷阱能級(jí)：SiO4的能級(jí)(導(dǎo)帶底以下0.16ev處)叫陷阱能級(jí)。

陷阱效應(yīng)：雜質(zhì)或缺陷能收容非平衡載流子的作用稱為陷阱效應(yīng)。

MOS管原廠：

KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

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