KIA6N70H 700V5.8A參數規格 國產優質MOS 原廠價優-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-07-16
這款功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產的。這個先進的技術是KIA半導體專門定制的。可以減少沖擊，提供優越的開關性能，能承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖，這款產品非常適合于高效率開關電源、有源功率因數校正，基于半橋拓撲。
RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V
低柵電荷（典型16NC）
高耐用性
快速切換
雪崩測試100%
提高dv/dt能力
型號：KIA6N70H
工作方式：5.8A/700V
漏源電壓：700V
脈沖漏電流:20* A
柵源電壓:±30V
單脈沖雪崩能量:150MJ
雪崩電流:4.8A
重復雪崩能量:9.5MJ
峰值二極管恢復dv/dt:4.5 V/ns
漏源擊穿電壓:700V
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1. 工業領域：步進馬達驅動，電鉆工具，工業開關電源
2. 新能源領域：光伏逆變，充電樁，無人機
3. 交通領域：車載逆變器，汽車HID安定器，電動自動車
4. 綠色照明領域：CCFL節能燈。 LED照明電源，金鹵燈鎮流器
以上應用領域廣，型號也大不相同，根據參數的不同我們也會為你選擇更適合你的產品,有種精神叫堅持，目標始終沒有變，十年創新，我們領跑科技發展
KIA本著“攜手客戶，創新設計，共同提升，服務市場”的理念，期待在您的大力支持下，使KIA成為MOSFET器件領域的優秀mos管品牌。
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