650V7A MOS管資料 KIA7N65H參數 現貨直銷 專業制造-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-07-08
描述
KIA7N65H-功率MOSFET是使用KIASMER先進的平面條紋DMOS技術生產的。這一先進技術特別適合在雪崩和換流模式下最小化狀態電阻，提供優越的開關性能，并能承受高能量脈沖。
這些器件非常適合于高效率開關模式電源、基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
RDS(on)=1.2? @ VGS=10V
低柵電荷(典型29 nC)
高強度
快速開關
100%雪崩測試
改進的dv/dt能力
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