MOS管耐壓特性以及對柵極電荷的影響-KIA MOS管

MOS管耐壓、柵極電荷影響

功率比較小的單管變換器的主開關通常采用MOS管，其優點是電壓型控制，驅動功率低，低電壓器件中MOS管的導通壓降和開關速度是最佳的。

測試耐壓用示波器的高壓探頭測試。具體測試MOS的D-S（漏極接+，源極接GND），把示波器調到直流檔，看最大值和峰峰值（這兩者中的最大值需滿足要求）。

MOS管的耐壓對導通電阻的影響：MOS管的耐壓水平由芯片的電阻率和厚度決定，而MOS管是多數載流子導電器件，芯片電阻率直接影響器件的導通電阻。

通常MOS管的導通電阻隨耐壓的2.4~2.6次方增加。如1000V耐壓是30V耐壓的33.3倍，而同樣大的芯片的導通電阻將變成33.3^(2.4~2.6)，大約為6400倍！

如果還想保持導通電阻的基本不變就需要更大的管芯面積，這樣不僅增加了封裝尺寸，而且價格也將明顯上升。

如TO-220封裝的耐壓為400V的IRF740型MOS管的導通電阻為0.55歐，而導通電阻相近的耐壓為500V的IRF450型MOS管（導通電阻為0.4歐）則需要TO-247封裝。耐壓僅僅相差100V，封裝尺寸增加近1倍。

同樣以TO-220封裝的IRF系列MOS管為例，IRF640、IRF740、IRF840、IRFBC40的耐壓分別為200V、400V、500V、600V，導通電阻為0.18歐、0.55歐、0.8歐、1.2歐；25度時的額定電流為28A、18A、10A、8A、6.2A。由此可見耐壓對導通電阻的影響是很大的。

開關變換器中MOS管的開關速度實際上是受驅動電路的驅動能力影響，很少會因驅動電路的驅動能力過剩而MOS管的速度或自身特性限制了開關速度。

MOS管耐壓