快速掌握MOS管源極和漏極的區(qū)別-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-10
在MOS管結構示意圖中，我們可以看出左右是對稱的，難免會有人問怎么區(qū)分源極和漏極呢？其實原理上，源極和漏極確實是對稱的，是不區(qū)分的。
但在實際應用中，廠家一般在源極和漏極之間連接一個二極管，起保護作用，正是這個二極管決定了源極和漏極，這樣，封裝也就固定了，便于實用。
一、指代不同
1、源極：簡稱場效應管。僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。
2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動，或驅動比芯片電源電壓高的負載。
二、原理不同
1、源極：在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的P型區(qū)(用P+表示)，就形成兩個不對稱的P+N結。把兩個P+區(qū)并聯在一起，引出一個電極，稱為柵極(g)，在N型半導體的兩端各引出一個電極。
2、漏極：將兩個P區(qū)的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個電極。
MOS管的定義：我們都在知道場效應管的結構是在一塊N型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的P型區(qū)域，其用P+表示，形成兩個P+N結。
而N型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極D和源極S。把兩邊的P區(qū)引出電極并連在一起稱為柵極G。如果在漏、源極間加上正向電壓，N區(qū)中的多子(也就是電子)可以導電。
它們從源極S出發(fā)， 流向漏極D。電流方向由D指向S，稱為漏極電流ID。由于導電溝道是N型的，所以稱為N溝道結型場效應管。場效應管(包括結型和絕緣柵型)的漏極與源極通常制成對稱的，漏極和源極可以互換使用。
但是有的絕緣柵場效應管在制造產品 時已把源極和襯底連接在一起了 ，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況P襯底接低電位，N襯底接高電位。
對于絕緣柵NMOS管，接高壓為漏端，接低壓為源端。PMOS剛好相反。從原理上，NMOS載流子是電子，由低電壓處提供，所以低壓端稱源端，PMOS載流子是空穴，由高壓處提供，所以高壓端稱源端。
MOS管源極、柵極之間的電阻：
一是為場效應管提供偏置電壓；
二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S；
保護柵極G-源極S：
場效應管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，兩端的高壓就有可能使場效應管產生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極；
這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場效應管的作用。
具體的例子：MOS管在開關狀態(tài)工作時，Q1、Q2是輪流導通，MOS管柵極在反復充、放電狀態(tài)，如果在此時關閉電源，MOS管的柵極就有兩種狀態(tài)：
一種是放電狀態(tài)，柵極等效電容沒有電荷存儲；另一個是充電狀態(tài)，柵極等效電容正好處于電荷充滿狀態(tài)，如下圖a所示。
雖然電源切斷，此時Q1、Q2也都處于斷開狀態(tài)，電荷沒有釋放的回路，但MOS管柵極的電場仍然存在（能保持很長時間），建立導電溝道的條件并沒有消失。
這樣在再次開機瞬間，由于激勵信號還沒有建立，而開機瞬間MOS管的漏極電源（V1）隨機提供，在導電溝道的作用下，MOS管立刻產生不受控的巨大漏極電流Id，引起MOS管燒壞。
為了避免此現象產生，在MOS管的柵極對源極并接一只泄放電阻R1，如下圖b所示，關機后柵極存儲的電荷通過R1迅速釋放，此電阻的阻值不可太大，以保證電荷的迅速釋放，一般在五千歐至數十千歐左右。
灌流電路主要是針對MOS管在作為開關營運用時其容性的輸入特性，引起“開”、“關”動作滯后而設置的電路，當MOS管作為其他用途，例如線性放大等應用時，就沒有必要設置灌流電路。
R38電阻的作用是：
一：減緩Rds從無窮大到Rds(on)(一般0.1歐姆或者更低)。
二：若不加R38電阻，高壓情況下便會因為mos管開關速率過快而導致周圍元器件被擊穿。
但R38電阻過大則會導致MOS管的開關速率變慢，Rds從無窮大到Rds（on）的需要經過一段時間，高壓下Rds會消耗大量的功率，而導致mos管發(fā)熱異常。
R42電阻的作用是：
一：作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產生誤動作，甚至擊穿mos管（因為只要有少量的靜電便會使mos管的G-S極間的等效電容產生很高的電壓），起到了保護mos管的作用。
二：為mos管提供偏置電壓。
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