這些接法你知道嗎？場效應管的簡單接法，秒懂-KIA MOS管

場效應管的簡單接法

舉例說明,下圖是一個通俗、簡單的場效應管驅動LED的電路圖,左圖為N溝道場效應管(型號IRF630) , 右圖為P溝道場效應管(型號IRF9640) , 電源電壓12V ,具體到實際電路中,圖中電阻等元件可以根據實際電路更換相關阻值,從圖中可以初步了解場效應管做開關電路的接法。下面簡要說明。

場效應管,英文縮寫MOSFET ,一般有3個管腳。依內部PN結方向的不同, MOSFET分為N溝道型(上圖)和P溝道型(下圖) , 如下面圖所示,一般使用N溝道型可帶來便捷性。

場效應管的簡單接法

N溝道MOSFET管用法: (柵極G高電平D與S間導通,柵極G低電平D與S間截止, P溝道與之相反)；柵極/基極(G)接控制信號，源極(S)接負載電源負極(模擬地) ,漏極(D)接負載輸出負極,負載輸入正極直接接負載電源正極。

當柵極/基極(G)電壓大于MOSFET管開啟電壓(通常為1.2V ) , 源極(S)到漏極(D)導通,導通電流很小，可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負載負極被連通負載電源負極,負載工作。

當柵極/基極(G)電壓小于MOSFET管開啟電壓時,源極(S)到漏極(D)電阻極大,可以認為源極(S)到漏極([D)斷路,則負載負極被負載電源正極拉高,負載不工作。( 這里只用最易理解的語言說說用法,事實上MOSFET的開啟和關閉取決于柵極/基極(G)和源極(S)之間的正壓差)

這樣,我們只要控制MOSFET的柵極/基極(G)電壓有無,即可控制負載的工作與不工作,形成一個開關效應。MOSFET管的開關時間非常快,一般在納秒極 ,你就認為是瞬間開啟/關閉就可以了,在MOSFET管內部是沒有延遲的。

由于MOSFET管的快速開關特性,使用高頻PWM方波信號對其柵極/基極(G)進行控制,可以在輸出端獲得超高速切換的平均電壓,這個平均電壓取決于PWM波的占空比。這就是UBEC或者電調等模型設備的降壓和調速原理。這種高頻開關降壓方法幾乎沒有能量損失,效率一般在95%以上。

場效應管的簡單接法

P溝道MOSFET管用法: (柵極G高電平D與S間截止,柵極G低電平D與S間導通)；柵極/基極(G)接控制信號,源極(S)接負載電源正極,漏極(D)接負載輸入正極,負載輸出負極直接接負載電源負極(模擬地)。

當柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓(負載電源電壓) 1.2V以上時,源極(S)到漏極(D)導通,導通電流很小,可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負載正極被連通負載電源正極,負載工作。當柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓(負載電源電壓)不足1.2V ,或柵極/基極(G)電壓大于等于源極(S)電壓時,源極(S)到漏極(D)電阻極大,可以認為源極(S)到漏極(D)斷路,則負載不工作。

MOSFET場效應管做為快速開關元件的用法就簡單說到這里,復雜理論先不說它,知道怎么用就行了。如果僅僅是做為電子開關使用,也可以簡單用三極管代替MOSFET管, 只不過三極管的效率、開關速度、開關可靠性遠不如MOSFET管。

場效應管有共源、共漏接法（與晶體管放大電路共射、共集接法相對應）。柵極/基極(G)接控制信號，源極(S)接負載電源負極（模擬地），漏極(D)接負載輸出負極，負載輸入正極直接接負載電源正極。

當柵極/基極(G)電壓大于MOSFET管開啟電壓（通常為1.2V），源極(S)到漏極(D)導通，導通電流很小，可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負載負極被連通負載電源負極，負載工作。當柵極/基極(G)電壓小于MOSFET管開啟電壓時，源極(S)到漏極(D)電阻極大，可以認為源極(S)到漏極(D)斷路，則負載負極被負載電源正極拉高，負載不工作。

擴展資料：

場效應管使用注意事項

（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。

（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負偏壓，等等。

（3）MOS場效應管由于輸入阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放入塑料盒子內，保存時最好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。

（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完后才把短接材料去掉。

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