場效應管知識詳解-場效應管如何導通,有哪些要點？必看-KIA MOS管

場效應管導通要點

場效應管是如何導通的 在使用場效應管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮場效應管的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。

這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的。此文談談對場效應管導通電阻的認識，包括導通條件等知識，希望對大家的電路設計有所幫助。場效應管的導通特性 導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。

場效應管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由于場效應管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓UGS決定其工作狀態。N溝道結型場效應管的特性：Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

P溝道結型場效應管的特性：Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然P溝道結型場效應管可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用N溝道結型場效應管。

下面是N溝道結型場效應管的導通條件：UGS(off)

何為場效應管的導通電阻

隨著半導體技術的飛速發展，場效應管的性能大幅度提高，其中最重要的是導通電阻達到毫歐數量級。場效應管的導通電阻是指在G、S極間加上一個偏壓（N溝道為G＋、S-、P溝道為G-、S＋），場效應管導通時，D、S極間的電阻值。

導通電阻這個參數在低壓大電流場合尤其重要，甚至比耐壓和電流指標還重要，所以尼克森公司的貼片低壓場效應管就直接用導通電阻的數值來作產品型號，如“P2804”就是指該型場效應管的導通電阻為28mΩ，耐壓為40V。同理，“P4404”就是指導通電阻為44mΩ，耐壓為40V。

不同結構的場效應管導通電阻差別很大，在通常情況下，耐壓越高，導通電阻就越大，如液晶電視背光板常用的N溝道＋P溝道組合管P2504，耐壓40V，電流18A，導通電阻25mΩ；用于CRT彩電電源管2SK2645，耐壓600V，電流9A，功率50W，導通電阻1.2Ω;2SK2647，耐壓800V，4從40W，導通電阻4Ω。

P溝道管比同規格N溝道管的導通電阻要大1倍左右，電流也小一些，所以開關電源都用N溝道管，但直流低電壓控制管大多用P溝道管，因為P溝道管的S極接電源輸入端，只要電源電壓在5V左右，G極就可以直接由CPU控制，CPU輸出低電平就可以使P溝道管導通，而N溝道管G極電壓要高于輸出電壓5V～10V才能導通，那么CPU輸出要經過電平轉換才能控制N溝道管，電路較復雜。

場效應管導通條件

場效應管的導通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型場效應管來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就可以了。

但是，場效應管分為增強型（常開型）和耗盡型（常閉型），增強型的管子是需要加電壓才能導通的，而耗盡型管子本來就處于導通狀態，加柵源電壓是為了使其截止。

開關只有兩種狀態通和斷，三極管和場效應管工作有三種狀態，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續增加而集電極電流不再增加）。使晶體管只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關；以晶體管飽和，發射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。

開關電路用于數字電路時，輸出電位接近0V時表示0，輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數字集成電路內部的晶體管都工作在開關狀態。

場效應管按溝道分可分為Ｎ溝道和Ｐ溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。

按材料分可分為結型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管，并且大多采用增強型的Ｎ溝道，其次是增強型的Ｐ溝道，結型管和耗盡型管幾乎不用。

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件。

場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱之為雙極型器件。

有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。

什么叫場效應管？

FET是Field-Effect-Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應用范圍很廣,但不能說現在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構成技術性能非常好的電路。

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