MOS管知識-MOS晶體管的恒流性偏移詳細分析-KIA MOS管

MOS晶體管的恒流性偏移

MOS晶體管斬波器的恒流性偏移可分如下兩種。

（1）尖峰電流(驅動電壓源通過極間電容的靜電感應電流)

（2）抽運電流

MOS晶體管的恒流性偏移：以上兩種成分均與驅動頻率成正比，在這一點上是相似的，但其極性相互抵銷;另外，與驅動電壓的關系也不同，所以不能作為一類進行討論。現以并聯型斬波器電路為例，試求尖峰的大小。

圖2.117為并聯型斬波器電路，等效電路如同圖(b )所示。方波驅動電壓經極間電容CGD微分，其在漏側的輸出電壓如圖(C )所示,呈現按指數函數衰減的脈沖波形。斬波器由導通轉換到關斷的瞬間所產生的尖峰的時間常數很大，由關斷轉換為導通的時間常數就很小，所以兩個尖峰的面積，亦即對時間的積分值，前者比后者要大得多。

MOS晶體管的恒流性偏移：前者稱為關斷尖峰的面積，后者稱為導通尖峰的面積。這些尖峰經交流放大器放大后通過同步檢波電路(包括檢波后面的低通濾波器)變換成直流。另一方面，直流輸入信號經斬波器變成方波后也同樣被解調成直流。從而尖峰所引起的直流偏移的大小，須將同步檢波輸出信號除以直流增益而求得。同步檢波電路的檢波效率，根據不同的電路結構。

尖峰和方波信號的往往不一樣，所以只知道斬波器輸入電路中產生的尖峰波形，不可能求得其直流偏移的換算值。因此，一般是將同步檢波電路理想化，對尖峰與對方波信號一樣，取一個周期內的平均值作為直流偏移的換算值。這種方法對很多同步檢波電路，可得到大致正確的結果。

MOS晶體管的恒流性偏移

MOS晶體管的恒流性偏移：由圖2.117(C)可知，并聯斬波器電路中的關斷尖峰與信號源電阻成正比，導通尖峰與斬波器的導通電阻成正比，所以關斷尖峰的面積較大，其直流偏移換算值如下。

與驅動頻率f、驅動電壓幅度E、極間電容CGD以及信號源電阻Rg成正比。由于尖峰脈沖與Rg成正比,屬于恒流性偏移源。f、Rg由于電路性能的關系，不能隨意降低，MOS場效應晶體管作斬波器用時要補償從導通到關斷的工作，E也不能降低到必要的幅度以下，所以為了降低這種偏移，應加接其它電容來抵銷掉CGD的影響。

MOS晶體管的恒流性偏移