MOS管知識(shí)-MOSFET耗散功率計(jì)算圖文詳細(xì)解析-KIA MOS管

計(jì)算MOSFET的耗散功率

為了確定一個(gè)MOSFET是否適合于某特定應(yīng)用，你必須計(jì)算一下其功率耗散，它主要包含阻性和開關(guān)損耗兩部分:

由于MOSFET耗散功率很大程度上依賴于它的導(dǎo)通電阻(Rds(ON)，計(jì)算RDs(ON)看上去是一個(gè)很好的出發(fā)點(diǎn)。但是MOSFET的Rds(ON)與它的結(jié)溫(Tj)有關(guān)。話說(shuō)回來(lái)，Tj 又依賴于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的熱阻(θjA)。這樣，似乎很難找到一個(gè)著眼點(diǎn)。由于功率耗散的計(jì)算涉及到若干個(gè)相互依賴的因素，我們可以采用一種迭代過程獲得我們所需要的結(jié)果。

迭代過程始于為每個(gè)MOSFET假定一個(gè)結(jié)溫，然后，計(jì)算每個(gè)MOSFET各自的功率耗散和允許的環(huán)境溫度。當(dāng)允許的環(huán)境氣溫達(dá)到或略高于期望的機(jī)殼內(nèi)最高溫度時(shí)，這個(gè)過程便結(jié)束了。有些人總試圖使這個(gè)計(jì)算所得的環(huán)境溫度盡可能高，但通常這并不是一個(gè)好主意。

這樣作就要求采用更昂貴的MOSFET,在MOSFET下鋪設(shè)更多的銅膜，或者要求采用一個(gè)更大、更快速的風(fēng)扇產(chǎn)生氣流一所有這些都不是我們所期望的。從某種意義上講，先假定一個(gè)MOSFET結(jié)溫，然后再計(jì)算環(huán)境溫度，這是一種逆向的考慮方法。畢竟環(huán)境溫度決定了MOSFET的結(jié)溫一而不是相反。

不過，從一個(gè)假定的結(jié)溫開始計(jì)算要比從環(huán)境溫度開始容易一些。對(duì)于開關(guān)MOSFET和同步整流器，我們可以選擇一個(gè)最大允許的管芯結(jié)溫(TJ(HOT)作為迭代過程的出發(fā)點(diǎn)。

多數(shù)MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)只規(guī)定了+25°C下的最大Rds(ON)，不過最近有些產(chǎn)品也提供了+125'C下的最大值。MOSFET的RDS(ON)隨著溫度而增加，典型溫度系數(shù)在0.35%/°C至0.5%/°C之間。

如果拿不準(zhǔn)，可以用一個(gè)較為保守的溫度系數(shù)和MOSFET的+25°C規(guī)格(或+125°C規(guī)格，如果有的話)近似估算在選定的TJ（HOT)下的最大Rds(ON):

其中，Rds(ON)SPEC 是計(jì)算所用的MOSFET導(dǎo)通電阻，TsPEC 是規(guī)定Rds(ON)SPEc時(shí)的溫度。利用計(jì)算出的Rds(ON)HOT,可以確定同步整流器和開關(guān)MOSFET的功率消耗，具體做法如下所述,我們將討論如何計(jì)算各個(gè)MOSFET在給定的管芯溫度下的功率消耗，以及完成迭代過程的后續(xù)步驟(整個(gè)過程詳述于圖1)。

同步整流器的功率消耗

除最輕負(fù)載以外，各種情況下同步整流器MOSFET的漏源電壓在打開和關(guān)閉過程中都會(huì)被續(xù)流二極管鉗位。因此，同步整流器幾乎沒有開關(guān)損耗,它的功率消耗很容易計(jì)算。只需要考慮阻性損耗即可。最壞情況下的損耗發(fā)生在同步整流器工作在最大占空比時(shí)，也就是當(dāng)輸人電壓達(dá)到最大時(shí)。

利用同步整流器的RDS(ON)HOT和工作占空比，通過歐姆定律，我們可以近似計(jì)算出它的功率消耗:

開關(guān)MOSFET的功率耗散

開關(guān)MOSFET的阻性損耗計(jì)算和同步整流器非常相似，也要利用它的占空比(不同于前者)和

開關(guān)MOSFET的開關(guān)損耗計(jì)算起來(lái)比較困難，因為它依賴于許多難以量化并且通常沒有規(guī)格的因素，這些因素同時(shí)影響到打開和關(guān)閉過程。我們可以首先用以下粗略的近似公式對(duì)某個(gè)MOSFET進(jìn)行評(píng)價(jià)，然后通過實(shí)驗(yàn)對(duì)其性能進(jìn)行驗(yàn)證:

其中CRss是MOSFET的反向傳輸電容(數(shù)據(jù)手冊(cè)中的一個(gè)參數(shù))，fsw 為開關(guān)頻率，IGATE是MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器在MOSFET處于臨界導(dǎo)通(VGs位于柵極充電曲線的平坦區(qū)域)時(shí)的吸收/源出電流。一旦基于成本因素將選擇范圍縮小到了特定的某一代MOSFET(不同代MOSFET的成本差別很大)，我們就可以在這一代的器件中找到一個(gè)能夠使功率耗散最小的器件。

這個(gè)器件應(yīng)該具有均衡的阻性和開關(guān)損耗。使用更小(更快)的器件所增加的阻性損耗將超過它在開關(guān)損耗方面的降低,而更大(Rds(ON)更低)的器件所增加的開關(guān)損耗將超過它對(duì)于阻性損耗的降低。如果VIN是變化的，需要在VIN(MAX)和VIN(MIN)下分別計(jì)算開關(guān)MOSFET的功率耗散。

MOSFET功率耗散的最壞情況可能會(huì)出現(xiàn)在最低或最高輸入電壓下。該耗散功率是兩種因素之和:在VIN(MIN)時(shí)達(dá)到最高的阻性耗散(占空比較高)，以及在VIN（MAx)時(shí)達(dá)到最高的開關(guān)損耗(由于VIN2項(xiàng)的緣故)。一個(gè)好的選擇應(yīng)該在VIN的兩種極端情況下具有大致相同的耗散，并且在整個(gè)VIN范圍內(nèi)保持均衡的阻性和開關(guān)損耗。

如果損耗在VIN(MIN)時(shí)明顯高出，則阻性損耗起主導(dǎo)作用。這種情況下，可以考慮用一個(gè)更大一點(diǎn)的開關(guān)MOSFET(或?qū)⒁粋€(gè)以上的多個(gè)管子相并聯(lián))以降低RDs(ON).但如果在VIN(MAx)時(shí)損耗顯著高出，則應(yīng)該考慮降低開關(guān)MOSFET的尺寸(如果是多管并聯(lián)的話，或者去掉一個(gè)MOSFET)，以便使其開關(guān)速度更快一點(diǎn)。

如果阻性和開關(guān)損耗已達(dá)平衡，但總功耗仍然過高，有多種辦法可以解決:改變問題的定義。例如，重新定義輸人電壓范圍。

改變開關(guān)頻率以便降低開關(guān)損耗，有可能使用更大一點(diǎn)的、RdS(ON)更低的開關(guān)MOSFET。

增加?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電流，有可能降低開關(guān)損耗。MOSFET自身的內(nèi)部柵極電阻最終限制了柵極驅(qū)動(dòng)電流，實(shí)際上限制了這種方法的有效性。

采用一個(gè)改進(jìn)技術(shù)的MOSFET，以便同時(shí)獲得更快的開關(guān)速度、更低的RDS(ON)和更低的柵極電阻。

脫離某個(gè)給定的條件對(duì)MOSFET的尺寸作更精細(xì)的調(diào)整是不大可能的，因?yàn)槠骷倪x擇范圍是有限的。選擇的底線是MOSFET在最壞情況下的功耗必須能夠被耗散掉。

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