結型場效應管JFET知識詳解（附上圖文）結構及四個工作區-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-08-14
場效應管（JFET）它不僅具有雙極型三極管的體積小,重量輕,耗電少,壽命長等優點,而且還具有輸入電阻高,熱穩定性好,抗輻射能力強,噪聲低,制造工藝簡單,便于集成等特點.因而,在大規模及超大規模集成電路中得到了廣泛的應用.根據結構和工作原理不同,場效應管可分為兩大類: 結型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管(IGFET)。
在兩個高摻雜的P區中間，夾著一層低摻雜的N區（N區一般做得很薄），形成了兩個PN結。在N區的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個P區上也做上歐姆電極，并把這兩個P區連起來，就構成了一個場效應管。從N型區引出的兩個電極分別為源極S和漏極D，從兩個P區引出的電極叫柵極G，很薄的N區稱為導電溝道。
結型場效應管分類：N溝道和P溝道兩種。如下圖所示為N溝道管的結構和符號。
如圖所示為N溝道結型場效應管的結構示意圖
輸出特性可以分為四個工作區：
場效應管在手機射頻電路中作為放大元件使用，在邏輯電路一般作開關元件使用。與三極管一樣，場效應管必須加上適當的偏壓，才能正常工作，才能起放大、振蕩很有成效作用。其中P溝通型場效應管必須加上負的柵—源電壓，而N溝道型場效應管工作必須加上正的柵—源電壓。
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