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集射極間電壓

信息來源：本站　日期：2017-05-15　

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射極開路的時分，集射極間能夠承受的最大電壓。它是器件的最小額定電壓。假設基射極間的電阻很小（ 50 lOO!l），那么在關斷狀態下晶體管能夠承受一個更高的電壓。

大功率晶體管（集電極無緩沖器）關斷時，典型的集電極電流F降和集射極間電壓上升過程 2N6836 C 15A、850V ）的MOS開關電路時間晶體管能夠安全承受的最高電壓。這是在關斷的瞬間呈現漏感尖峰時 ,晶體管能夠承受的最大電壓。只需在關斷期間，基極存在一個一I5V的反向尖峰電壓時，晶體管才干承受這個電壓。反向偏置的基極電壓或電壓尖峰必需由基極驅動電路提供，其持續時間必需大于漏感尖峰的持續時間。

反向偏置安全工作區域。在關斷期間，le-Vee曲線不能越過給出的邊境。就算是一次越界也可能損壞晶體管，由于電流會集中在芯片的某個小部分，招致局部過熱。若在關斷瞬間加上］～5V的反偏電壓，可工作在邊境以內。若關斷時 Vbe=O ，則晶體管只能工作在區域內 .能同時滿足高、低盧值的晶體管工作懇求的設計方案產品的盧值的離散性很大，可能相差4倍之多。假設基極電流可以較好的驅動盧值低的晶體管，那么它將對F值高的晶體管構成很強的過驅動，招致過長的儲存時間。假設要縮短過長的儲存時間，需求的反向基極電流就會相當大。

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