NCE80H16可用哪些品牌替代-MOS管參數、封裝、規格書詳情-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-07-02
KIA2808A可替代NCE80H16，KIA半導體是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計，集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。
從設計研發到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續創新，永不止步！
RDS(on) =4.0毫歐（典型值）@ VGS=10V
100%雪崩測試
可靠、堅固耐用
無鉛和綠色設備可用（符合RoHS標準）
產品型號：KIA2808A
工作方式：150A/80V
漏源電壓：80V
柵源電壓：±25V
漏電流連續：150A
脈沖漏極電流：660A
雪崩能量：1.1***mJ
耗散功率：178W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：80V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：6109PF
輸出電容：995PF
上升時間：18ns
開關中的應用
逆變電源的電源管理
查看詳情請點擊下圖
VDS=80V,ID=160A
RDS(ON)<4.7mΩ@VGS=10V
超低RDSON高密度電池設計
穩定性好，均勻性好
良好的散熱包裝
高靜電放電性能的特殊工藝技術
（一）封裝尺寸
（二）封裝引腳圖
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