MOS管集成電路使用操作準則大全-MOS管集成電路分類與優(yōu)點等-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-06-21
MOS集成電路是以金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應晶體管為主要元件構成的集成電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應晶體管。直到1968年解決了MOS器件的穩(wěn)定。MOS集成電路是一種常用的集成電路。最小單元是反相器，由兩只金屬一氧化物-半導體場效應晶體管組成。這種集成工藝主要用于數(shù)字集成電路的制造，電路集成度可以很高。
1、按晶體管的溝道導電類型，可分為P溝MOSIC、N溝MOSIC以及將P溝和N溝MOS晶體管結合成一個電路單元的互補MOSIC，分別稱為PMOS 、NMOS和CMOS集成電路。
2、按柵極材料可分為鉛柵、硅柵、硅化物柵和難熔金屬（如鉬、鎢）柵等MOSIC，柵極尺寸已由微米進入亞微米（0.5～1微米）和強亞微米（0.5微米以下）量級 。
①制造結構簡單，隔離方便。
②電路尺寸小、功耗低適于高密度集成。
③MOS管為雙向器件，設計靈活性高。
④具有動態(tài)工作獨特的能力。
⑤溫度特性好。其缺點是速度較低、驅動能力較弱。一般認為MOS集成電路功耗低、集成度高，宜用作數(shù)字集成電路；雙極型集成電路則適用作高速數(shù)字和模擬電路。
由于不可避免的短時間操作弓起的高靜電電壓放電現(xiàn)像，例如人在打臘地板上走動時會弓起高達4KV-15KV的靜電高壓，此高壓與環(huán)境濕度和表面的條件有關，因而在使用CMOS管、NMOS管器件時必須遵守下列預防準則:
1、不要超過手冊上所列出的極限工作條件的限制。
2、器件上所有空閑的輸入端必須接 VDD 或 VSS，并且要接觸良好。
3、所有低阻抗設備（例如脈沖信號發(fā)生器等）在接到 CMOS 或 NMOS 集成電路輸入端以前必然讓器件先接通電源，同樣設備與器件斷開后器件才能斷開電源。
4、包含有 CMOS 和 NMOS 集成電路的印刷電路板僅僅是一個器件的延伸，同樣需要遵守操作準則。從印刷電路板邊緣的接插件直接聯(lián)線到器件也能引起器件損傷，必須避免一般的塑料包裝，印刷電路板接插件上的 CMOS 或 NMOS 集成電路的地址輸入端或輸出端應當串聯(lián)一個電阻，由于這些串聯(lián)電阻和輸入電容的時間常數(shù)增加了延遲時間。這個電阻將會限制由于印刷電路板移動或與易產(chǎn)生靜電的材料接觸所產(chǎn)生的靜電高壓損傷。
5、所有CMOS和NMOS集成電路的儲存和運輸過程必須采用抗靜電材料做成的容器，而不能按常規(guī)將器件插入塑料或放在普通塑料的托盤內(nèi)，直到準備使用時才能從抗靜電材料容器中取出來。
6、所有 CMOS 和 NMOS 集成電路應當放置在接地良好的工作臺上，鑒于工作人員也能對工作臺產(chǎn)出靜電放電，所以工作人員在操作器件之前自身必須先接地，為此建議工作人員要用牢固的導電帶將手腕或肘部與工作臺表面連接良好。
7、尼龍或其它易產(chǎn)生靜電的材料不允許與CMOS和NMOS 集成電路接觸。
8、在自動化操作過程中，由于器件的運動，傳送帶的運動和印刷電路板的運動可能會產(chǎn)生很高的靜電壓，因此要在車間內(nèi)使用電離空氣鼓風機和增濕機使室內(nèi)相對濕度在 35% 以上，凡是能和集成電路接觸的設備的頂蓋、底部、側面部分均要采用接地的金屬或其它導電材料。
9、冷凍室要用二氧化碳制冷，并且要放置隔板，而器件必須放在導電材料的容器內(nèi)。
10、需要扳直外引線和用手工焊接時，要采用手腕接地的措施，焊料罐也要接地。
11、操作人員使用棉織品手套而不要用尼龍手套或橡膠手套。
12、在工作區(qū)，禁止使用地毯。
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