KIA6N70H 5.8A/700V規格書下載-MOS管原廠供貨 KIA原廠現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-05-28
這款功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產的。這個先進的技術是KIA半導體專門定制的。可以減少沖擊，提供優越的開關性能，能承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖，這款產品非常適合于高效率開關電源、有源功率因數校正，基于半橋拓撲。
RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V
低柵電荷（典型16NC）
高耐用性
快速切換
雪崩測試100%
提高dv/dt能力
型號：KIA6N70H
工作方式：5.8A/700V
漏源電壓：700V
脈沖漏電流:20* A
柵源電壓:±30V
單脈沖雪崩能量:150MJ
雪崩電流:4.8A
重復雪崩能量:9.5MJ
峰值二極管恢復dv/dt:4.5 V/ns
漏源擊穿電壓:700V
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