KIA品牌 MOS管原廠 KNX6165A 10A/650V規格書/封裝-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-03-25
KNX6165A通道增強型硅柵功率MOSFET是為高壓設計的。高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源，開關電源等?；诎霕蛲負涞墓β室驍敌Ｕ娮訜翩偭髌鳌?/span>
1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V
2、符合ROHS標準
3、低柵電荷最小開關損耗
4、快速恢復體二極管
產品型號：KNX6165A
工作方式：10A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：10A
脈沖漏極電流：40A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：216W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：650V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1554PF
輸出電容：153PF
上升時間：31ns
查看規格書，請點擊下圖
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
