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原廠供應KNX3306B替代HY1607 80A/60V MOS管 價格合理-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-12-27 

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KNX3306B替代HY1607

KNX3306B可替代后羿的HY1607,KIA半導體場效應管有著雪崩沖擊低、低內阻等技術優勢。

KIA半導體也一直執行全面質量管理體系,是將所有產品質量從芯片設計開始,一直貫徹到客戶使用的全過程質量跟蹤和監控。我們確定在這一質量控制體系下生產的產品,在相關環節的質量狀態和信息都是有效控制,確保提供給客戶的產品是安全可靠的。下文將描述KNX3306B產品附件及主要參數詳情。

MOS管KNX3306B產品特征

1、RDS(on)=7毫歐(typ)@VGS=10V

2、無鉛綠色設備

3、低電阻開關,減少導電損耗

4、高雪崩電流

MOS管KNX3306B產品主要參數

產品型號:KNX3306A

工作方式:80A/60V

漏源極電壓:60V

柵源電壓;±25V

雪崩能量:462.25MJ

接頭和儲存溫度范圍 :-55℃至+175℃

MOS管KNX3306B封裝

KNX3306B替代HY1607,80A/60V

KNX3306B附件

查看詳情,請點擊下圖。

KNX3306B替代HY1607,80A/60V



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