10n60 9.5A/600V場效應管參數(shù)PDF中文資料-半導體原廠-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-10-11
可易亞設計了KIA10N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速度的功率開關應用，如高效率的開關電源。電源，有源功率因數(shù)校正，電子鎮(zhèn)流器基于半橋式，以消光。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低門電荷（典型的44nC）
3、快速交換能力
4、雪崩能量指定值
5、改進的dv/dt能力
產(chǎn)品型號：KIA10N60H
工作方式：9.5A/600V
漏源極電壓：600V
柵源電壓：±30V
漏電流脈沖：38.0*A
結溫：+150℃
貯存溫度：-55℃至150℃
以下為KIA10N60H產(chǎn)品PDF格式的產(chǎn)品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。
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