DFN封裝是一種無(wú)引腳的封裝形式，采用雙邊或方形扁平無(wú)鉛封裝，僅兩側(cè)有焊盤。...DFN封裝是一種無(wú)引腳的封裝形式，采用雙邊或方形扁平無(wú)鉛封裝，僅兩側(cè)有焊盤。DFN8表示焊盤數(shù)是8個(gè)，典型主體尺寸長(zhǎng)度通常介于2-7mm，焊盤間距通常為0.5-0.95mm，...
充電器mos管?KNE6303A漏源擊穿電壓30V，漏極電流12A，先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，超...充電器mos管?KNE6303A漏源擊穿電壓30V，漏極電流12A，先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì)，??導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 8mΩ，高效低耗；改進(jìn)的dv/dt能...
（1）頻率低，約150Hz，因而續(xù)流二極管采用了普通整流橋； （2）沒有欠壓和過(guò)...（1）頻率低，約150Hz，因而續(xù)流二極管采用了普通整流橋； （2）沒有欠壓和過(guò)流保護(hù)； （3）采用了簡(jiǎn)單的門電路作三角波發(fā)生器； （4）采用5只大功率VDMOS并聯(lián)...
穩(wěn)壓電源 由V3（TL431），Q3等元件組成，從36V蓄電池經(jīng)過(guò)串聯(lián)穩(wěn)壓后得到+12V電...穩(wěn)壓電源 由V3（TL431），Q3等元件組成，從36V蓄電池經(jīng)過(guò)串聯(lián)穩(wěn)壓后得到+12V電壓，給控制電路供電，調(diào)節(jié)VR6可校準(zhǔn)+12V電源。
KPD6610B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-15A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 170m...KPD6610B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-15A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 170mΩ；具有低噪聲?，提高信號(hào)的保真度??、高閾值電壓?，抗干擾能力強(qiáng)?、低功耗?...
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