MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設(shè)置Vg為3.3V，Vd為變量，設(shè)置變量Vd值為3....MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設(shè)置Vg為3.3V，Vd為變量，設(shè)置變量Vd值為3.3V，dc仿真并對(duì)design variable ——Vd進(jìn)行掃描，掃描范圍選擇0-3.3V，掃描方式選擇...
上圖可見，DCM和CCM是固定頻率的，CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。...上圖可見，DCM和CCM是固定頻率的，CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。分析上圖，可知CCM模式下，電流不會(huì)趨于0。DCM模式下，電流會(huì)趨于0，并且有一定的死...
圖中V為全控型器件，選用IGBT;D為續(xù)流二極管。由圖中V的柵極電壓波形UGE可知，...圖中V為全控型器件，選用IGBT;D為續(xù)流二極管。由圖中V的柵極電壓波形UGE可知，當(dāng)V處于通態(tài)時(shí)，電源Ui向負(fù)載供電，UD=Ui。當(dāng)V處于斷態(tài)時(shí)，負(fù)載電流經(jīng)二極管D續(xù)流，...
降壓轉(zhuǎn)換器的傳導(dǎo)損耗主要來自于晶體管Q1、二極管D1和電感L在傳導(dǎo)電流時(shí)產(chǎn)生的...降壓轉(zhuǎn)換器的傳導(dǎo)損耗主要來自于晶體管Q1、二極管D1和電感L在傳導(dǎo)電流時(shí)產(chǎn)生的壓降。為了簡(jiǎn)化討論，在下面的傳導(dǎo)損耗計(jì)算中忽略電感電流的交流紋波。如果MOSFET用...
開關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級(jí)寄生電容、電感。所謂諧振...開關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級(jí)寄生電容、電感。所謂諧振,即:在MOS管開通、關(guān)斷切換的過程中,寄生電感將能量傳遞給寄生電容進(jìn)行充電,充電結(jié)...
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