KND2906A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極...KND2906A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.5mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有...
逆變電路：逆變器的核心部分，由半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件（如MOSFET、IGBT等）組成的全橋...逆變電路：逆變器的核心部分，由半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件（如MOSFET、IGBT等）組成的全橋或半橋電路構(gòu)成。通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)控制（PWM脈寬調(diào)制），將升壓后的直流電轉(zhuǎn)換為交流脈...
DC-DC有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如BUCK（降壓）、BOOST（升壓）、BUCK-BOOST（升降壓）三...DC-DC有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如BUCK（降壓）、BOOST（升壓）、BUCK-BOOST（升降壓）三大基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。升壓降壓電路（Boost和Buck電路）通過(guò)電感的儲(chǔ)能與釋放、開(kāi)關(guān)元件...
KNB2908B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，高密度...KNB2908B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，高密度電池設(shè)計(jì)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.0mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高...
N溝道增強(qiáng)型MOSFET：當(dāng)VGS超過(guò)閾值電壓（VTH）時(shí)，ID開(kāi)始增加，曲線呈上升趨勢(shì)...N溝道增強(qiáng)型MOSFET：當(dāng)VGS超過(guò)閾值電壓（VTH）時(shí)，ID開(kāi)始增加，曲線呈上升趨勢(shì)。 P溝道增強(qiáng)型MOSFET：當(dāng)VGS低于負(fù)閾值電壓（-VTH）時(shí)，ID開(kāi)始增加，曲線呈下降趨...
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